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[发明专利]薄膜电阻元件-CN202010037087.5在审
发明人：邱正中;卢契佑 -专利权人：光颉科技股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta2O5)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本发明的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。
薄膜电阻元件

[实用新型]薄膜电阻元件-CN202020071985.8有效
发明人：邱正中;卢契佑 -专利权人：光颉科技股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta2O5)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本申请的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。
薄膜电阻元件

[发明专利]一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法-CN202211691933.0在审
发明人：马啸尘 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆(YSZ)单晶衬底上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄本发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜是具有单晶结构的外延材料，该薄膜材料具有良好的半导体电学性质，并且单晶质量高、稳定性好。可用于透明半导体器件和紫外光电探测器等领域。
一种掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法-CN201910864226.9在审
发明人：任卫;杨光道;张永超;朱楠楠;杜淑菊;杨朝宁;杨炎翰;李璐;王勇刚;姚国光;商世广 -专利权人：西安邮电大学;陕西师范大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。
五氧化二钽薄膜制备致密孔洞钨丝形貌磁控溅射法五氧化二钽阳极氧化法薄膜材料薄膜结晶电子聚焦退火处理高真空硅基片空隙率铜坩埚成膜量产气化沉积光滑发射生长

[实用新型]一种镀钽薄膜的陶瓷块做正极的低压电力电容器-CN201620735416.2有效
发明人：王宁;冀敏;赵冲 -专利权人：西京学院
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01G9/048 文献下载
摘要：一种镀钽薄膜的陶瓷块做正极的低压电力电容器，包括正极引线、负极引线，负极引线焊接连接负极二氧化锰，正极引线与陶瓷块上涂覆的一层钽薄膜焊接，钽薄膜表面氧化形成一层五氧化二钽薄膜，负极二氧化锰与陶瓷块外的氧化层五氧化二钽薄膜粘连，钽薄膜利用热喷涂方法涂覆，或采用真空溅射方法涂覆，电容器的正极用表面涂覆钽薄膜的陶瓷块制成，使得电容器一方面具有良好的电性能，能耐高温，性能稳定、可靠，另一方面，由于正极使用的钽金属的量减少了，因此电容器的生产成本也有效地下降了
一种薄膜陶瓷正极低压电力电容器

[发明专利]一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法-CN202111395622.5有效
发明人：马啸尘 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，以乙醇钽作为金属有机化合物源材料，氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉积设备在真空条件下在蓝宝石衬底氮化镓外延单晶片上生长正交相五氧化二钽单晶薄膜本发明所制备的正交相五氧化二钽单晶薄膜材料晶格排列有序，附着性好、稳定性高，在半导体光电器件领域应用前景广阔。
一种交相氧化二钽单晶薄膜制备方法

[发明专利]以五氧化二钽作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备-CN201810279046.X在审
发明人：顾邦凯;田维;李亮 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种以五氧化二钽作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法：将五氯化钽溶于醇中，制备浓度为0.01mol/L‑0.06mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂覆在透明导电基底上，然后在500‑600℃下退火，以在导电基底的表面形成一层厚度为5nm‑60nm的五氧化二钽薄膜；将钙钛矿前驱体溶液涂覆在五氧化二钽薄膜的表面，然后在100‑110℃下退火，以在五氧化二钽薄膜的表面形成厚度为400nm‑500nm本发明的方法工艺简单，成本低，采用五氧化二钽薄膜作为电子传输层，可加速电子的迁移能力并且提高光的利用率。
钙钛矿五氧化二钽薄膜电子传输层前驱体溶液太阳能电池制备退火五氧化二钽表面形成吸光层涂覆空穴传输层加速电子金属电极透明导电五氯化钽层厚度导电基基底修饰迁移

[发明专利]一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法-CN202211691950.4在审
发明人：马啸尘 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。用乙醇钽作为有机金属化合物材料，以高纯氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉积设备在六方结构的氟化镧单晶衬底上制备出无孪晶的六方相五氧化二钽单晶薄膜。本发明所制备的六方相五氧化二钽单晶薄膜材料具有单晶质量高、稳定性好，因此在半导体器件领域具有良好的应用前景。
一种六方相五氧化二钽单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种光学滤光片及其应用-CN202210685730.4在审
发明人：张椿英;陈家星;周衍浩;陈鸿飞 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学滤光片及其应用，所述光学滤光片包括：玻璃基板；设置于玻璃基板的一个表面上的增透膜层；光学复合薄膜单元；所述光学复合薄膜单元为多个，叠层设置于玻璃基板的另一个表面上；每个光学复合薄膜单元均由二氧化硅/二氧化铪复合薄膜、二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜、二氧化硅/三氧化二钛复合薄膜组成；所述二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜设位于二氧化硅/二氧化铪复合薄膜之上，所述二氧化硅/三氧化二钛复合薄膜位于二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜之上
一种光学滤光及其应用

[发明专利]五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用-CN202210346612.0在审
发明人：王朋;刘粲;魏亚菊;林宇昊;吴越;吴小平;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明涉及五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用，方法包括：一、将金属氧化物粉末和五价金属元素氧化物研磨混合，并置于蒸发舟中，其中，五价金属元素氧化物包括五氧化二钒粉末、氧化铌粉末或氧化钽粉末，金属氧化物粉末包括三氧化钨粉末或三氧化钼粉末；二、将衬底插入热蒸发设备腔体顶部的样品槽中；三、将腔体抽真空，直到真空度小于10‑3Pa；四、缓慢增加电流到90A后，打开挡板开始蒸镀，蒸镀一定厚度后关闭挡板，然后关闭电源，自然冷却后取出样品，即可得到五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜，五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜包括钒、铌或钽掺杂的氧化钨薄膜，以及钒、铌或钽掺杂的氧化钼薄膜有效减少氧化钼或氧化钨中的氧空位。
金属元素掺杂金属氧化物薄膜制备方法应用

[实用新型]叠片式金属化薄膜电容-CN201120483546.9有效
发明人：邓朝勇;马亚林;石健;张安邦 -专利权人：贵州大学
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠片式金属化薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有金属薄膜电极I及金属薄膜电极I，在金属薄膜电极I与金属薄膜电极I之间设有将它们完全分隔的五氧化二钽介质薄膜，金属薄膜电极I、金属薄膜电极I及五氧化二钽介质薄膜组成叠片式结构，金属薄膜电极I上设有引出电极I，在金属薄膜电极I上设有引出电极I；在叠片式结构的外部设有钝化保护层。本实用新型采用五氧化二钽等既绝缘，又具有良好的化学稳定性的材料制成的薄膜作为电介质，解决一般薄膜电容器电介质的介电常数低，耐热差，成膜性差，机械强度低等问题。
叠片式金属化薄膜电容

[发明专利]钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用-CN202210346611.6在审
发明人：王朋;魏亚菊;吴越;吴小平;徐凌波;林萍;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，具体涉及钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用。制备方法包括：一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。本发明有效减少了氧化钨中的氧空位。
掺杂氧化钨薄膜制备方法应用

[发明专利]一种高信噪比的滤光片及其制备方法和应用-CN202210686508.6在审
发明人：张椿英;何孔杰;陈家星;周衍浩 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种高信噪比的滤光片及其制备方法和应用，所述滤光片包括：玻璃基板；增透膜，所述增透膜设置于玻璃基板的一个表面上；多层薄膜复合单元，所述薄膜复合单元设置于玻璃基板的另一个表面上；每层薄膜复合单元均由多层二氧化硅/氮化硼/五氧化二钽复合薄膜与一层五氧化二钽/氮化硼复合薄膜组成；本发明的高信噪比的滤光片的信噪比可达107以上。
一种高信噪滤光及其制备方法应用

[发明专利]薄膜电阻层制备方法-CN202010533987.9在审
发明人：邱正中;卢契佑 -专利权人：光颉科技股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻层制备方法。该方法利用磁控溅镀方法于基板表面形成氮化钽层，再形成五氧化二钽层于氮化钽层上，最后经退火处理以得到具低电阻值变化率的薄膜电阻层。
薄膜电阻制备方法

[发明专利]使用导电聚合物的薄膜电容器-CN02821789.6无效
发明人： P·库马;H·乌伦哈特 -专利权人： H.C.施塔克公司
申请日： 2002-11-01 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01G4/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜电容器，该电容器包含(a)衬底，(b)第一聚合物薄膜，包括导电聚合物的第一聚合物薄膜位于衬底上，(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，(d)第二聚合物薄膜，包括导电聚合物的第二聚合物薄膜位于五氧化物层的表面上。
使用导电聚合物薄膜电容器

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