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[发明专利]封装方法及封装结构-CN202111508769.0在审
发明人：张镇凯;刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种封装方法及封装结构，封装方法包括：提供基底、以及第一芯片，基底具有第一待键合面，第一待键合面上形成有第一互连电极，第一芯片具有第二待键合面，第二待键合面上形成有第二互连电极；利用键合层使第一待键合面和第二待键合面相键合，第一互连电极与第二互连电极错位相对，或者，第一互连电极在横向上避开第二互连电极设置，且第一互连电极与第二互连电极在纵向上具有间隙，键合层避开第一互连电极和第二互连电极设置；在第一互连电极与第二互连电极之间形成互连结构，互连结构包覆第一互连电极和第二互连电极，并填充于间隙中，用于实现第一互连电极与第二互连电极之间的电连接。
封装方法结构

[发明专利]顶电极互连结构-CN201910998482.7在审
发明人： I·G·金;R·A·奥格尔 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，顶电极互连结构以及制造方法。该结构包括：下金属化特征；上金属化特征；与下金属化特征直接接触的底电极；位于底电极之上的一种或多种开关材料；位于一种或多种开关材料之上的顶电极；以及与顶电极和上金属化特征接触的自对准过孔互连。
电极互连结构

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201310174968.1有效
发明人：李律圭;朴鲜;曹圭湜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光装置包括薄膜晶体管（TFT）、有机发光设备、中间层和相对电极，其中，薄膜晶体管（TFT）包括有源层、栅电极和源电极及漏电极，有机发光设备包括连接到TFT的像素电极，中间层包括发射层，相对电极接触部分将相对电极连接到功率互连线连接到相对电极接触部分的功率互连线包括第一互连层和第二互连层，第一互连层和第二互连层堆叠并且二者之间没有绝缘层。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体模块-CN201510097890.7在审
发明人：松山宏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种半导体模块包含：衬底；第一互连层，设置于所述衬底上；多个第一半导体元件，设置于所述第一互连层上，所述多个第一半导体元件的每一个包含：第一电极、第二电极及第三电极，且所述第二电极电连接到所述第一互连层；多个第一整流元件，设置于所述第一互连层上，所述多个第一整流元件的每一个包含第四电极及第五电极，且所述第五电极电连接到所述第一互连层；以及第二互连层，设置于所述衬底上，且所述第二互连层电连接到所述第一电极及所述第四电极；其中所述第二互连层在所述第二互连层的表面上包含凹凸结构，或所述第一互连层在所述第一互连层的表面上包含凹凸结构。
半导体模块

[实用新型]多层硅基电容器电极连接结构-CN201220517257.0有效
发明人：雷鸣;唐剑平;陈杰;陈立军 -专利权人：无锡纳能科技有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多层硅基电容器电极连接结构，属于高密度硅基电容器的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述多层硅基电容器电极连接结构，包括衬底；所述衬底内设置若干槽型的面积扩张区域；在所述衬底的面积扩张区域内设置若干内部电极层；所述内部电极层包括奇数内部电极层及与所述奇数内部电极层交替分布的偶数内部电极层，所述偶数内部电极层与奇数内部电极层间设置介质层；衬底的上表面上设置互连电极层，所述互连电极层包括用于与偶数内部电极层电连接的偶数互连电极及用于与奇数内部电极层电连接的奇数互连电极，所述偶数互连电极与奇数互连电极间绝缘隔离
多层电容器电极连接结构

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法-CN202110130752.X在审
发明人：黄河;刘孟彬;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级系统封装方法，包括：提供器件晶圆，其包括多个第一芯片，第一芯片具有暴露出器件晶圆上表面且相间隔的第一互连电极和外接电极；通过电镀工艺在外接电极上形成外接导电凸块，在第一互连电极上形成互连导电凸块；提供多个第二芯片和多个互连芯片，第二芯片的下表面具有裸露的第二互连电极；互连芯片中形成有互连结构，互连芯片的下表面暴露部分互连结构；将第二芯片和互连芯片键合在器件晶圆的上表面，并使第二互连电极与互连导电凸块电连接，互连芯片的互连结构与外接导电凸块电连接。本发明通过互连芯片将芯片模块的电性从器件晶圆的上表面引出，减小对器件晶圆的损伤，提高封装兼容性和可靠性。
一种晶圆级系统封装方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010724423.3在审
发明人：金志荣;梁宇成;李重锡;李炳镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体存储器装置包括：电极结构，每个电极结构包括彼此堆叠在衬底上的水平电极；位于电极结构之间并且沿着水平电极延伸的竖直电极；在电极结构的端部处连接到水平电极的第一接触件；连接到竖直电极的上部的第二接触件；以及，连接到第二接触件的顶表面的第一互连结构。第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线。第一子互连线在第一方向上延伸并且接触第二接触件的顶表面。第二子互连线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且接触第一子互连线。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]高密度电容器及其电极引出方法-CN201210002933.5有效
发明人：雷鸣;陈杰;陈立军 -专利权人：无锡纳能科技有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度电容器及其电极引出方法，其包括衬底；衬底上生长若干局部电极层，局部电极层包括偶数局部电极层及与所述偶数局部电极层相匹配的奇数局部电极层，奇数局部电极层与偶数局部电极层间设有高介电常数介质层，衬底的上方设有互连电极层，互连电极层包括偶数互连电极及奇数互连电极，奇数互连电极与偶数互连电极间绝缘隔离。
高密度电容器及其电极引出方法

[发明专利]半导体封装结构-CN201210444153.6有效
发明人：林仲珉;陶玉娟 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。由于所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面和柱状电极周围的金属互连结构表面，使得柱状电极与所述焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，且所述扩散阻挡层能提高柱状电极和金属互连结构表面的结合力，使得柱状电极不容易从金属互连结构表面脱离。
半导体封装结构

[实用新型]半导体封装结构-CN201220586076.3有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。由于所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面和柱状电极周围的金属互连结构表面，使得柱状电极与所述焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，且所述扩散阻挡层能提高柱状电极和金属互连结构表面的结合力，使得柱状电极不容易从金属互连结构表面脱离。
半导体封装结构

[发明专利]一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构-CN201480084501.0有效
发明人：孙润光;刘宏宇 -专利权人：孙润光;刘宏宇
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构，其中公共电极与互连电极连接区域的高度和像素发光器件与互连电极连接区域的高度相同，高度相同保证了互连电极的应力最小，保证了互连电极的稳定性和导电性，这样就提高了公共电极的导电性
一种主动驱动无机发光二极管显示器件结构

[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构-CN202010673271.9在审
发明人：黄河;刘孟彬;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法以及封装结构，方法包括：提供有多个第一芯片的晶圆，包括相对的第一表面和第二表面，第一表面有第一互连电极和外接电极；提供多个第二芯片和多个互连芯片，第二芯片表面有第二互连电极，互连芯片包括第三表面和第四表面，互连芯片中有互连结构，第三表面暴露部分互连结构；将第二芯片和互连芯片键合于第一表面上；形成第一互连凸块，用于实现第一互连电极和第二互连电极电连接，形成第二互连凸块，用于实现外接电极和互连结构电连接。本发明实现晶圆级封装，且通过互连芯片将第一芯片和第二芯片构成的芯片模块的引出端引至第一表面一侧，从而减小对晶圆的损伤，且适用于各种晶圆的系统集成，进而提高封装兼容性和可靠性。
晶圆级封装方法以及结构

[发明专利]用于RRAM技术的金属接合方法-CN201710282433.4有效
发明人：陈侠威;张至扬;杨晋杰;杨仁盛;涂国基;朱文定;廖钰文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例涉及具有接触RRAM(电阻式随机存取存储器)器件的上电极的互连线的集成电路，以及形成方法。在一些实施例中，集成电路包括具有设置于下电极和上电极之间的介电数据存储层的RRAM器件。互连线接触上电极的上表面，并且互连通孔布置在互连线上。互连通孔从互连线的一个或多个最外侧壁回缩。互连线具有相对大的尺寸，其提供互连线和上电极之间的良好电连接，从而增加RRAM器件的工艺窗口。
用于 rram 技术金属接合方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010567174.1在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的若干第一电极层和第二电极层；位于衬底上的第一互连层和第二互连层；位于衬底上的若干第一导电插塞和若干第二导电插塞，每根第一导电插塞与第一互连层或第二互连层连接，每根第二导电插塞与第一电极层或第二电极层连。通过将第一导电插塞与第一互连层或第二互连层连接，第二导电插塞与第一电极层或第二电极层连接，使得整体的导电插塞的数量增加，降低第一互连层、第二互连层、第一电极层以及第二电极层与其他器件结构之间的接触电阻，提升电容器的品质因数；另外，由于第二导电插塞与第一电极层或第二电极层连接，不需要额外占用空间，使得最终形成的半导体结构的集成度提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种透明柔性显示系统及其制备方法-CN201910438543.4有效
发明人：潘章旭;龚政;龚岩芬;刘久澄;郭婵;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：透明柔性显示系统包括透明柔性基底、显示阵列、互连电极和驱动模块。所述显示阵列包括多个呈阵列形式排布的微LED；互连电极电连接于所述微LED，驱动模块电连接于所述互连电极，用于驱动至少部分所述微LED。所述互连电极采用金属性碳纳米管材料制成，互连电极具有良好的透光性、导电性和柔韧性，且制备方法简便。
一种透明柔性显示系统及其制备方法

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