“二铁单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8992817个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用-CN201910183580.5有效
发明人：杨晓明;何超;苏榕冰;龙西法 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁电单晶材料，所述反铁电单晶材料为钨镁酸铅‑铌镥酸铅二元反铁电单晶材料。该反铁电单晶材料为反铁电领域提供一种可开关、可调变的新型单晶材料，有望在能量储能、脉冲电源、精密致动等领域中有所应用。
一种反铁电单晶材料制备方法及其应用

[发明专利]一种剥离铁电单晶薄膜的方法-CN201910690097.6有效
发明人：江安全;陈一凡;张岩;江钧;柴晓杰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本
一种剥离铁电单晶薄膜方法

[发明专利]一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片-CN202211092768.7在审
发明人：周成;张存新;何亮;李建敏;毛伟;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N30/088 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片，涉及压电材料技术领域，本发明的制备方法包括：步骤一：将铁电单晶体切割成厚度为100μm以上的第一晶片；步骤二：将切割后的所述第一晶片放入第一溶液中清洗；所述第一溶液不与所述第一晶片发生反应，且能去除所述第一晶片表面的沾污；步骤三：将清洗后的所述第一晶片放入第二溶液中进行减薄；得到减薄后的第二晶片；步骤四：将减薄后的所述第二晶片在10秒内从所述第二溶液中取出，再次放入所述第一溶液中清洗后并晾干；由此得到铁电单晶体薄片。本发明通过制备提供厚度在20‑50μm的单晶薄片，有效解决了铁电单晶体的应用瓶颈。
一种单晶体薄片制备方法

[发明专利]一种介孔三氧化二铁单晶及其水热制备方法-CN202211051582.7有效
发明人：李伟;杨东;赵亮 -专利权人：上海旦元新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及单晶材料制备技术领域，尤其涉及一种介孔三氧化二铁单晶及其水热制备方法。其主要针对现有手段中纳米三氧化二铁的活性受限于传质与活性位点数量，制备单晶材料费时费力、成本高等问题，提出如下技术方案：所述介孔三氧化二铁单晶为梭型形貌，颗粒长宽尺寸分别为160‑500nm、90‑270nm；所述介孔三氧化二铁单晶的比表面积为20‑50m2/g，孔容为0.10‑0.30cm3/g；其中介孔为球形孔，孔径分布为本发明制备的成本低，可等比例放大，在能源、热催化、光(电)催化、催化剂载体等众多领域具有广泛的应用前景，主要应用于单晶介孔材料的合成。
一种介孔三氧化二铁单晶及其制备方法

[发明专利]一种电控自旋阀结构及非易失存储器件-CN201810929285.5在审
发明人：赵文博;黄伟川;殷月伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种电控自旋阀结构及非易失存储器件，该电控自旋阀结构包括：铁电单晶衬底；设置在铁电单晶衬底上的磁性固定层，磁性固定层包括第一部分和第二部分，第一部分紧邻铁电单晶衬底，第二部分设置在第一部分背离铁电单晶衬底一侧；设置在第二部分背离铁电单晶衬底一侧的非磁性中间层；设置在非磁性中间层背离磁性固定层一侧的磁性自由层；覆盖第二部分、非磁性中间层和磁性自由层侧壁的绝缘层；设置在磁性自由层背离非磁性中间层一侧的金属顶电极引线层；设置在铁电单晶衬底两侧的金属电极。
铁电单晶非磁性中间层衬底自旋阀结构磁性自由层磁性固定电控背离非易失存储器件绝缘层金属顶电极磁阻变化电场调控金属电极引线层自旋阀侧壁磁矩转动覆盖

[发明专利]一种多层薄膜制备方法及多层薄膜-CN202080098589.7在审
发明人：秦健鹰;杨喜超;邢彦敏;张岩;魏侠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜，其中方法主要包括：制备第一材料层，进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中，每个第二材料层包括第二衬底，第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法，可以在多层薄膜中制备多个由铁电单晶材料构成的薄膜层，有利于扩大铁电单晶材料在多层薄膜中的应用。
一种多层薄膜制备方法

[发明专利]氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用-CN202111625327.4有效
发明人：屈艺谱;徐俞;王钰宁;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用。所述基于铁电材料衬底远程外延生长氮化物单晶薄膜的方法包括：将铁电材料衬底的温度调节至铁电材料的居里温度点以上，并对所述铁电材料衬底施加电场进行极化处理，以将所述铁电材料衬底的极化强度调节至50～120μC/cm2，之后使所述铁电材料衬底冷却；在铁电材料衬底表面覆设二维材料；在所述二维材料表面外延生长氮化物外延层。本发明实施例提供的一种基于铁电材料衬底远程外延生长氮化物单晶薄膜的方法，通过调节衬底的极化强度，有效的改善了氮化物外延层的单晶程度，从而获得高质量、极性一致的氮化物薄膜。
氮化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种铁电单晶体复合薄片的制备方法及复合薄片-CN202211092648.7在审
发明人：周成;张存新;何亮;李建敏;毛伟;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N30/073 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电单晶体复合薄片的制备方法及复合薄片，涉及压电材料技术领域，制备方法包括以下步骤：将铁电单晶体切割为第一晶块；将第一晶块放入第一溶液中清洗；将第一晶块放入模具中，模具为顶部开口的柱状体，模具内形成有容纳空间，将第一晶块间隔排列放入模具的容纳空间内；将粘胶剂注入到模具的容纳空间中，以将第一晶块凝固结合在一起形成第二复合晶块；待第二复合晶块凝固后，将第二复合晶块从模具中分离出来；将第二复合晶块切割得到铁电单晶体复合薄片由此制备得到各种尺寸的铁电单晶体复合薄片，其尺寸可控且压电性良好，可使得铁电单晶体更加适用于商业化的需求，使其应用更加广泛。
一种单晶体复合薄片制备方法

[发明专利]1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法-CN201410635620.2有效
发明人：李永川;郭瑞彪;钱明;薛术;郑海荣;陈然然;苏敏;刘广 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： B32B38/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板；所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽；所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上；所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上，且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动，所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽，所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距，即切口的宽度小于10微米，满足了制备高频阵列探头的需求。
压电陶瓷单晶铁电复合材料制备方法

[发明专利]一种铁电单晶薄膜及其制备方法-CN202111484387.9在审
发明人：丑修建;毕开西;薛刚;梅林玉;穆继亮;何剑;侯晓娟 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电单晶薄膜及其制备方法，包括：清洗铁电单晶与衬底表面；将衬底与铁电单晶进行间接键合，同时与基板进行临时键合；采用不同粒径的磨料对铁电单晶进行减薄抛光；将抛光后的铁电单晶从基板表面剥离，清洗铁电单晶表面，得到铁电单晶薄膜。本申请通过间接键合与化学机械抛光方法代替离子注入方法，可以避免由离子注入引起的薄膜表面晶格损伤，进而获得低厚度、高平整度、低损伤的铁电单晶薄膜，满足高精度器件制备需求，可应用于集成电路制造，微传感器、微执行器等功能元件的制造；可以实现常温环境下制备，减少了在低温—高温—低温的变换过程中铁电单晶由于热失配原因而产生的变形、碎裂等问题，提高产物的成品率。
一种铁电单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具-CN201410712388.8有效
发明人：李永川;郭瑞彪;钱明;薛术;郑海荣;陈然然;苏敏;刘广 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：2‑2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨，使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠，再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此，在沟槽深度固定时，聚合物的厚度就能固定为沟槽深度，从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充，使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度，使其符合用户要求。
压电陶瓷单晶铁电复合材料制备方法

[发明专利]三氧化二铁单晶纳米管/石墨烯复合电极材料及其制备方法-CN201510159883.5在审
发明人：周忠福;王英国;王敬峰;鲁雄刚;俞健舒;王会利;王清露 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氧化二铁单晶纳米管/石墨烯复合电极材料及其制备方法，本发明的复合电极材料是石墨烯通过范德华力包覆在三氧化二铁单晶纳米管上而形成的，其中石墨烯和氧化铁的质量比为1:（1～10）；所述的三氧化二铁单晶纳米管为α-Fe₂O₃单晶纳米管，其长度为300～500nm，外径为60～90nm，内径为10～50nm。
氧化二铁单晶纳米石墨复合电极材料及其制备方法

[发明专利]一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用-CN202310340775.2在审
发明人：刘鑫;胡庆元;李飞;魏晓勇;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。
一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法应用

[发明专利]一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法-CN202010834451.0在审
发明人：尹志岗;张兴旺;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，待氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜，将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥，使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点，实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化，对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。
一种铁酸钴柔性薄膜制备方法

[发明专利]一种用于测量铁基超导单晶面内电学性质的样品器件的制备方法-CN202111440009.0在审
发明人：滕博伦;王靖珲;李军 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于测量铁基超导单晶面内电学性质的样品器件的制备方法。本发明的制备方法包括：将铁基超导单晶材料大幅减薄，在其平整的解理面上镀金，光刻并通过氩离子束刻蚀制作环形电极，再通过热蒸发仪喷镀绝缘层，光刻并制作第二层绝缘层作为电极保护层，最后通过光刻在保护层上制作引出电极图案，从而制备得到铁基超导微纳单晶测量器件。本发明以微纳加工技术作为基本工具，根据测量铁基超导单晶材料遇到的多种问题对电极方案进行了针对性改进。通过大幅减薄样品，制作电极并制作双层绝缘层电极结构，就可以得到铁基超导微纳单晶测量器件。这种完全基于微纳加工制备的器件能够解决测量铁基超导超导向列态时遇到的多种实验技术难题。
一种用于测量超导单晶面内电学性质样品器件制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条