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[发明专利]一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法及二硫化钼纳米片的应用-CN201610930421.3在审
发明人：陈敬钦;刘成波;盛宗海;宋亮 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： A61K47/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法，包括以下步骤将白蛋白和二硫化钼粉末加入到水中；将所得混合分散液经超声破碎仪超声6‑10小时，然后梯度离心10‑20分钟，将离心后的溶液按一定体积比分成上层、中层、下层溶液，即可相应得到单层、少层和多层的二硫化钼纳米片溶液。本发明方法工艺简单，耗时短，可以在较短时间内一次性分别获得不同层数的二硫化钼纳米片溶液，制备得到的二硫化钼纳米片在光声成像造影方面具有很好的灵敏度。本发明还提供了由该方法制备得到的二硫化钼纳米片，以及二硫化钼纳米片在制备光声成像用造影剂、抗癌纳米药物或诊断试剂中的应用。
一种二硫化钼纳米剥离制备方法应用

[发明专利]一种球状二硫化钼复合材料及其制备方法和应用-CN201510072736.4有效
发明人：郭玮;马建民;毛玉华 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本申请公开了一种球状二硫化钼复合材料及其制备方法和应用。本申请的制备方法包括，(1)将钼酸钠与L‑半胱氨酸分别加入去离子水中、混匀，加热8‑16小时，自然冷却，用水和乙醇交替洗涤，得到球状二硫化钼纳米球；(2)将二硫化钼在油酸浸泡24‑72小时，离心去除多余油酸；(3)将浸泡的二硫化钼在400‑1100℃，氮气或氩气中加热2‑6小时，得到无定型碳包覆的球状二硫化钼复合材料。本申请的制备方法利用油酸吸附晶面退火形成无定型碳，在二硫化钼表面包覆无定形碳层，制备方法简单、易操作；所制备的二硫化钼复合材料，不仅粒度分布均匀、导电性好，而且作为电池负极使用具有容量高、循环稳定性好、
一种球状二硫化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高耐磨二硫化钼/丁苯橡胶/丁吡橡胶纳米复合材料-CN201410484202.8有效
发明人：刘力;李宁;张树柏;姜志国;齐士诚 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-09-21 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C08L9/06 文献下载
摘要：本发明是一种高耐磨二硫化钼/丁苯橡胶/丁吡橡胶纳米复合材料。丁苯橡胶耐磨性能良好，进一步提高其耐磨性能十分困难。本发明首先通过超声法剥离二硫化钼制备出二硫化钼悬浮液，再与丁苯橡胶乳液纳米复合，由于二硫化钼属于无机材料，它与有机橡胶高分子之间的结合并不理想，所以在纳米复合过程中引入少量的丁吡橡胶乳液，丁吡橡胶不但起到了抑制絮凝过程中二硫化钼片层的自堆砌，也起到了二硫化钼与丁苯橡胶的界面桥梁作用，通过该方法制备得到的二硫化钼/丁苯橡胶/丁吡橡胶复合材料表现出优异的力学性能和耐磨性能。
一种耐磨二硫化钼丁苯橡胶橡胶纳米复合材料

[发明专利]一种纳米锡-二硫化钼复合物负极材料及其制备方法和应用-CN201811503312.9有效
发明人：马志鸿;耿海龙;胡博;王宝英;曲翊 -专利权人：包头市石墨烯材料研究院有限责任公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米锡‑二硫化钼复合物负极材料及其制备方法和应用。本发明制备的材料，二硫化钼呈片层结构，锡以颗粒形式弥散的分布于二硫化钼片上，锡颗粒的粒径为8～15nm。制备方法包括：用SnCl4溶液对二硫化钼进行浸渍后，通过氢化还原的方法制备得到所述的锡‑二硫化钼复合物负极材料。本发明利用二硫化钼的层状结构，缓冲锡材料在嵌锂过程中的体积变化，抵消部分内应力；提升锡基电极的循环稳定性。本发明中所制备的锡‑二硫化钼复合物电极的循环容量保持率较商品锡粉有显著提高，且大电流放电时容量下降较小，平台效应不明显，倍率放电结束后容量损失率小。
一种纳米二硫化钼复合物负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN201910049361.8有效
发明人：陈荣盛;钟伟;邓孙斌;李国元;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射在衬底上沉积一层二硫化钼薄膜；所述磁控溅射的功率为10W～150W；将所述二硫化钼薄膜置于密封容器中在设定温度下进行硫化；所述设定温度为本发明在前期通过在薄膜沉积过程中，调节靶材的功率来有效实现薄膜沉积过程中的无序控制，降低预制薄膜的无序度，减少预制薄膜缺陷，然后将溅射在衬底上的二硫化钼薄膜放入密闭容器中在设定温度下进行硫化，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼薄膜的结晶质量，本发明可以制备层数均匀的高质量二硫化钼薄膜。
一种二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种少层二硫化钼纳米诊疗剂及其制备方法和应用-CN202210260468.9在审
发明人：陈俊杰;夏炜炜;于罗丹;冯炜 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本案涉及一种少层二硫化钼纳米诊疗剂及其制备方法和应用；本发明的少层二硫化钼纳米诊疗剂，以1～3层的少层二硫化钼纳米片作为基体，在其表面修饰硫辛酸聚乙二醇制得。本案的诊疗剂具有优异的压电性能和光热性能，靶向性强，针对性高，可同时作为光热剂和声敏剂而应用于肿瘤或癌症细胞的声动力与光热协同治疗，有望提高肿瘤的治疗效果，并且通过在少层二硫化钼纳米片外表面修饰硫辛酸聚乙二醇，极大地提高了生物相容性和安全性，对发展肿瘤光热和压电催化协同治疗的材料具有重要意义；本发明少层二硫化钼纳米诊疗剂的制备方法，所涉及的实验装置简易，操作简单，制备周期快，有利于大批量生产。
一种二硫化钼纳米诊疗及其制备方法应用

[实用新型]一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器-CN201820452438.7有效
发明人：谭秋红;任文萍;王前进;刘应开;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，包括栅电极、铁电绝缘层、二硫化钼和二硒化钨垂直异质结沟道层、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有铁电绝缘层，绝缘层上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层，二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层上分别设置有金源电极和金漏电极。
二硫化钼二硒化钨垂直沟道层异质结本实用新型铁电存储器铁电绝缘层金漏电极金源电极栅电极异质绝缘层存储器技术领域载流子迁移率开关电流比器件功耗光开关抗疲劳响应

[发明专利]一种二硫化钼纳米片的制备方法和应用-CN201810568814.3有效
发明人：刘广义;张占飞;孙辉;李江伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼纳米片的制备方法，将钼源和黄原酸混合，经水热反应，制得单层和/或少层二硫化钼纳米片。本方法选用大规模工业生产的黄原酸盐为硫源，成本低、重复性好，并可制备出单层和/或少层二硫化钼纳米片。该纳米片可应用于吸附、光催化、光降解、润滑、光电器件等领域。
一种二硫化钼纳米制备方法应用

[发明专利]一种氧化锆陶瓷表面强结合力二硫化钼基涂层及其制备方法和应用-CN202310643230.9在审
发明人：李泽清;徐明龙;张虹虹;邵恕宝;宋思扬 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆陶瓷表面强结合力二硫化钼基涂层及其制备方法和应用，该涂层是由基体表面改性层、Cr粘结层、硬质梯度过渡层和二硫化钼基目标层构成，其中：改性层是采用高能铬离子注入形成，硬质梯度过渡层由铬掺杂非晶碳层、铬和钼共同掺杂非晶碳层、钼掺杂非晶碳层和二硫化钼层构成，即从Cr金属层过渡到MoS2，其成分详细变化为Cr/a‑C、Cr/Mo/a‑C、Mo/a‑C、MoS<本发明能够增强氧化锆与二硫化钼基涂层的膜基结合强度，有效改善氧化锆陶瓷的摩擦学性能，为实现氧化锆摩擦副的高性能、长寿命服役提供技术支撑。
一种氧化锆陶瓷表面结合二硫化钼涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种耐磨聚甲醛组合物及其制备方法和应用-CN202211742786.5在审
发明人：殷年伟;陈平绪;叶南飚;陈锋;付学俊;龚德君 -专利权人：金发科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C08L59/04 文献下载
摘要：所述耐磨聚甲醛组合物包括以下重量份数的组分：聚甲醛聚合物100份、异氰酸酯化合物0.05‑5份、二硫化钼0.05‑10份、润滑剂0.05‑2重量份和抗氧剂0.05‑1份；所述异氰酸酯化合物的官能度≥3。本发明添加二硫化钼至耐磨聚甲醛组合物制备过程中，通过二硫化钼的片层之间的滑移来提高耐磨聚甲醛组合物的摩擦性能。并且官能度≥3的异氰酸酯化合物可以渗透进入二硫化钼中，增加二硫化钼层间剥离，从而降低二硫化钼填充耐磨聚甲醛组合物的摩擦系数和比磨耗量。
一种耐磨甲醛组合及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钼掺杂纳米银粒子复合湿度传感器及其制备方法-CN201710233104.0有效
发明人：陈向东;李宁 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种二硫化钼掺杂纳米银粒子复合湿度传感器及其制备方法，包括步骤：形成纳米银粒子水分散液，将纳米银粒子水分散液掺入二硫化钼水分散液中，超声分散得到二硫化钼掺杂纳米银粒子复合材料分散液；在硅基片表面形成一层二氧化硅层，然在二氧化硅层表面形成第一电极和第二电极，得到电极基片，取得到的二硫化钼掺杂纳米银粒子复合材料分散液，附着到电极基片表面，放置入保护气体中静置进行干燥处理，从而得到附着有二硫化钼掺杂纳米银粒子复合材料薄膜的电极基片
纳米银粒子二硫化钼电极基片水分散液掺杂湿度传感器复合材料分散液附着二氧化硅层表面复合材料薄膜二氧化硅层响应灵敏度保护气体表面形成超声分散第二电极第一电极干燥处理硅基片掺入制备复合响应

[发明专利]基于二硫化钼量子点-还原氧化石墨烯的酶生物传感器-CN202210149838.1有效
发明人：朴金花;胡妍 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硫化钼量子点‑还原氧化石墨烯的酶生物传感器及其制备方法和应用。本发明的基于二硫化钼量子点‑还原氧化石墨烯的酶生物传感器为工作电极、参比电极和对电极组成的三电极体系，工作电极的组成包括依次设置的基底电极、酶修饰层和壳聚糖层，酶修饰层的组成包括甘油激酶、甘油三磷酸氧化酶和二硫化钼量子点‑还原氧化石墨烯复合材料，二硫化钼量子点‑还原氧化石墨烯复合材料的组成包括载体还原氧化石墨烯和负载的二硫化钼量子点。本发明的基于二硫化钼量子点‑还原氧化石墨烯的酶生物传感器具有良好的电子传递性能，能够快速转移反应产生的电子，进而实现甘油的检测，响应速度快，抗干扰能力强，检测范围较宽，检测限较低。
基于二硫化钼量子还原氧化石墨生物传感器

[发明专利]一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法-CN201811326754.0在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法，首先通过化学气相沉积法在基底表面生长大面积连续的多晶二硫化钼；其次通过刻蚀将二硫化钼图形化，在基底表面形成晶核阵列；之后将表面带有晶核阵列的基底再次进行化学气相沉积，在晶核处生成单晶二硫化钼，该单晶二硫化钼生长的位置由植入晶核的位置精确控制，形成单晶二硫化钼阵列；最后采用微纳加工技术加工金属电极，形成单晶器件阵列；本发明通过植入晶核的方法可避免二硫化钼器件阵列中存在晶界缺陷，获得高质量二硫化钼微纳器件阵列，为二硫化钼器件的实用化奠定基础。
二硫化钼单晶晶核器件阵列化学气相沉积基底表面植入制备微纳加工技术单晶器件金属电极晶界缺陷微纳器件生长图形化多晶基底刻蚀加工

[发明专利]二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统-CN201910899712.4有效
发明人：刘大猛;房亮;庞华;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统，该方法包括：获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件；根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据；在获得二硫化钼的目标摩擦力后，基于二硫化钼的摩擦特征，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。本发明可以对二硫化钼进行摩擦调控，避免静电力的干扰，准确度高。
二硫化钼摩擦调控方法装置系统

[发明专利]一种yolk-shell结构二硫化钼@碳电极材料的制备方法-CN201711154716.7在审
发明人：卢红斌;潘运梅;张佳佳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种yolk‑shell结构二硫化钼@碳电极材料的制备方法。利用二硫化钼前驱体溶剂热（乙二醇）得到单分散二硫化钼纳米球；多巴胺在二硫化钼颗粒界面自聚合得到二硫化钼@聚多巴胺核壳结构，将二硫化钼@聚多巴胺进行高温碳化处理得到核壳结构二硫化钼@碳纳米颗粒；将二硫化钼@碳分散在双氧水溶液中，经双氧水刻蚀处理得到yolk‑shell结构二硫化钼@碳材料。二硫化钼和碳壳之间的空隙可以通过调节双氧水的浓度来实现很好的调控。当双氧水的浓度为0.4 vol%时，制备得到的yolk‑shell结构二硫化钼@碳锂离子电池负极在第二圈的放电比容量高达1167 mAh g‑1，经过200圈循环之后的放电比容量为
一种 yolk shell 结构二硫化钼电极材料制备方法