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[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法-CN201911345170.2有效
发明人：周建新;徐廉鹏;何哲 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域，该光电器件结构自下而上依次为厚度为衬底层、绝缘层、二硒化锡层、二硒化钨层、石墨烯层；二硒化锡层和石墨烯层两端分别连接金属电极
一种基于石墨二硒化钨二硒化锡叠层结构光电器件及其制备方法

[实用新型]一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器-CN201820452438.7有效
发明人：谭秋红;任文萍;王前进;刘应开;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，包括栅电极、铁电绝缘层、二硫化钼和二硒化钨垂直异质结沟道层、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有铁电绝缘层，绝缘层上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层，二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层上分别设置有金源电极和金漏电极。
二硫化钼二硒化钨垂直沟道层异质结本实用新型铁电存储器铁电绝缘层金漏电极金源电极栅电极异质绝缘层存储器技术领域载流子迁移率开关电流比器件功耗光开关抗疲劳响应

[发明专利]一种钠离子电池负极材料及其制备方法和钠离子电池负极-CN202111503567.7在审
发明人：温道锋;张海燕;林梓华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本申请属于钠离子电池技术领域，尤其涉及一种钠离子电池负极材料及其制备方法和钠离子电池负极；其中，所述钠离子电池负极材料包括多孔碳纳米纤维和二硒化钨纳米颗粒，碳纳米纤维为碳材料，碳纳米纤维与二硒化钨纳米颗粒都是纳米尺寸，且碳纳米纤维为多孔结构，因此，有利于钠离子在二硒化钨与电解质之间进行脱嵌并在脱嵌时提供缓冲空间，从而同时解决了现有技术中二硒化钨作为钠离子电池的负极材料时钠离子电池导电性、倍率性能以及循环性能有待提高的技术问题
一种钠离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]一种金属相硒化钨纳米片/碳纳米管杂化结构电催化剂及其制备方法-CN201711484152.3有效
发明人：郑晓莉;张帼媛;许群 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明属于电催化剂制备领域，公开一种金属相硒化钨纳米片/碳纳米管杂化结构电催化剂及其制备方法。将硒粉、硼氢化钠和多壁碳纳米管分散于N，N‑二甲基甲酰胺中，在40~60℃条件下搅拌均匀；将二水合钨酸钠溶解于水中；混合两溶液，搅拌均匀；于160~本发明方法制备的金属相硒化钨纳米片/碳纳米管杂化结构电催化剂展现出比商业硒化钨和单纯金属相硒化钨更优异的电催化析氢性能，这在催化领域具有良好的应用前景。
一种金属相硒化钨纳米管杂化结构催化剂及其制备方法

[发明专利]一种基于二硒化钨和IEICO-4F的异质结结构及光电探测器、及其制备-CN202210228997.0在审
发明人：徐明生;陈叶馨;朱清海 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备，通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜，再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列，有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流，且随着有机半导体层厚度增加，二硒化钨的光致发光峰显著淬灭，器件表现出更加优异的光响应特性。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。
一种基于二硒化钨 ieico 异质结结构光电探测器及其制备

[发明专利]一种二维材料异质结传感器-CN201811490137.4在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：一种二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本发明的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[实用新型]二维材料异质结传感器-CN201822044070.3有效
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本实用新型的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层本实用新型肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[发明专利]一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料的制备方法和应用-CN202210120358.2有效
发明人：居瀚寻 -专利权人：东北农业大学
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料的制备方法和应用，它涉及一种光催化复合材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有降解罗丹明B的材料存在易造成二次污染，降解效果差，降解时间长和不能重复使用的问题。方法：一、制备三氧化钨/石墨烯复合物；二、复合，得到硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料。一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料用于降解罗丹明B。本发明制备的硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料可在35min内完全降解罗丹明B，第5次使用后对罗丹明B的降解率仍然可以达到81％。本发明可获得一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料。
一种硒化镍氧化钨石墨光催化复合材料制备方法应用

[发明专利]一种用作减摩添加剂的钼掺杂二硒化钨纳米片及其制备方法-CN201110384273.7无效
发明人：李长生;薛茂权;唐华 -专利权人：镇江中孚复合材料有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C10M125/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用作减摩添加剂的钼掺杂二硒化钨纳米片及其制备方法，用作减摩添加剂的钼掺杂二硒化钨纳米片是厚度为50nm，长宽均在500nm以下的纳米片。本发明采用球磨—加热固相反应制备钼掺杂二硒化钨纳米片，制备工艺简单、参数易控，生产过程安全环保。制得的钼掺杂二硒化钨纳米片由于其片层结构，可以作为固体润滑剂，也可以作为润滑油、脂的减摩添加剂，在工程应用领域具有广阔的发展前景。具有很好的实用性，有很好的经济前景，能产生很好的社会效益。
一种用作添加剂掺杂二硒化钨纳米及其制备方法

[发明专利]基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法-CN202210359112.0在审
发明人：吴燕庆;王欣;刘视远 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法，得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距，从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层，金属铂位于上层，二者垂直堆叠，通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延，从而降低了异质结的接触电阻。本发明提出的方法，解决了高定向金属薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、成本高的问题。二硒化钨场效应晶体管为PMOS，通过本发明方法实现了半导体二维材料与金属的高质量接触，有利于降低接触电阻，与NMOS场效应晶体管形成互补，有利于提高纳米片CMOS器件的性能。
基于单晶二硒化钨垂直外延定向金属方法

[发明专利]一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法-CN202211737966.4在审
发明人：郝国林;张世伟;贺力员;郝玉龙 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法。通过对蓝宝石晶圆进行高温退火处理，使处理后的蓝宝石更有利于生长高质量、大面积、高均匀性的二硫化钨和二硒化钨薄膜。采用化学气相沉积法，通过对气体流量调控、前驱体金属钨源的设计、限域高度的调节，可实现不同层厚(单层、双层或三层)的二硫化钨和二硒化钨纳米薄膜制备。包括：一、对氢气流量进行调控，可实现单、双层二硫化钨纳米薄膜的制备。本发明无需在生长过程中引入氯化物或氢氧化物等催化剂，使得晶圆级薄膜的生长更加的高效、方便，且无杂质元素的引入。
一种晶圆级二硫化二硒化钨二维纳米薄膜制备方法

[发明专利]二硒化钨纳米片的制备方法-CN201610303570.7在审
发明人：陈远富;王新强;戚飞;郑斌杰;贺加瑞;周金浩;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化钨纳米片的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括以下步骤：将硼氢化钠溶解于有机溶剂，相继加入硒粉和钨酸钠制得混合溶液；将所得混合溶液转移到反应釜中，在200℃～240℃下反应6～48小时；待反应釜的温度自然冷却至室温后，通过抽滤收集黑色产物，并分别用去离子水和乙醇对产物进行洗涤，将其冷冻干燥后得到二硒化钨纳米片。本发明首次提出了一种通过溶剂热法一步合成二硒化钨纳米片的方法；本发明制备方法原料绿色环保、成本低、产率高、反应条件温和、可规模化生产；本发明制备的高结晶二硒化钨纳米片尺度大、层数少、分布均匀，具有高的比表面积
二硒化钨纳米制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法-CN202111485187.5在审
发明人：张瑞;郝国强;周瑞;叶晓军;李红波 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法，包括以下步骤：根据石墨烯建立4×4的石墨烯超胞，根据单层WSe2建立3×3WSe2的超胞，将3×3WSe2的超胞垂直叠加在4×4的石墨烯超胞上，得到基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型；通过基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型对气体的吸附进行研究，从理论上计算了气体吸附在异质结气体传感器模型上的吸附能、能带结构、电荷密度差分。本发明构建的基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型，通过分析石墨烯/二硒化钨异质结对十种气体的吸附性能，从理论上计算了气体吸附在异质结上的稳定构型、能带结构和电荷转移。
一种基于石墨二硒化钨异质结气体传感器模型构建方法

[发明专利]一种二硒化钨纳米管的制备方法-CN201711443091.6有效
发明人：胡柱东;林海敏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于管式炉中，在气体保护下低温升华沉积，继续升温热解；2)真空管式炉降至室温后将模板开口向下置于装有硒粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后升温，使单质硒与金属钨直接反应；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板和多余的硒，后进行抽滤处理，烘干，得成品。本发明方法步骤简单，无环境污染，无需复杂的设备，所制备得的二硒化钨纳米管粉体材料的尺寸可控性强，结晶性好，纳米管管壁形貌均匀，从而大大提高该二硒化钨纳米管粉体材料成品的综合性能。
一种二硒化钨纳米制备方法

[发明专利]一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用-CN201710193486.9有效
发明人：方静;胡红星;王梦然;张鹏;邹磊;赖延清;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用；该复合材料是由二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨、二硫化钨中至少一种与碳复合构成多孔泡沫结构；其制备方法是将钼源和/或钨源、硒源和/或硫源、碳源和二氧化硅模板剂加入水中后，加热搅拌，形成溶胶；所述溶胶经过烘干后，置于惰性气氛中煅烧；煅烧产物通过腐蚀去除二氧化硅模板剂，即得复合材料，该方法实现了二硒(硫)化钼(钨)活性物质和碳合成、复合，以及造孔同步进行
一种化钼复合材料及其制备方法应用