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[发明专利]快速沉积纳米粒子于二氧化钛纳米管阵列以提高其光电催化性能的方法-CN201010126713.4无效
发明人：潘登余;李珍;冯娟娟;晏秀妹;吴明红 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速沉积纳米粒子于二氧化钛纳米管阵列以提高其光电催化性能的方法。本发明主要是采用了方便快捷的超声处理方法，将胶态的纳米二氧化钛粒子填入二氧化钛纳米管阵列孔道内以提高二氧化钛纳米管阵列的光电催化性能。本发明中，将制备好的二氧化钛纳米管阵列垂直浸泡在0.05mol/L水溶性二氧化钛溶液中，用40W功率的超声发光装置进行超声处理，处理时间为10～20秒，然后取出进行干燥，最终得到沉积有纳米晶的二氧化钛纳米管阵列
快速沉积纳米粒子氧化阵列提高光电催化性能方法

[发明专利]具有(001)晶面择优取向的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及其制备方法和应用-CN201810122254.9有效
发明人：胡楠;王怀雨 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有(001)晶面择优取向的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列，所述纳米管阵列由锐钛矿型的二氧化钛组成并成六边形排列，锐钛矿二氧化钛纳米管阵列具有高能晶面(001)的择优取向。本发明采用低成本、简单、易操作的阳极氧化法和大塑性变形方法，在超细晶纯钛阳极基体上，制备出排列整齐、高度有序的二氧化钛纳米管阵列，通过控制纯钛基体晶粒尺寸的方法形成择优取向高能晶面(001)面的锐钛矿二氧化钛纳米管阵列，该锐钛矿二氧化钛纳米管阵列具有较大的比表面积、更有利于电荷的传输，增大光电转化效率；采用的大塑性变形、阳极氧化等技术对环境几乎没有任何污染。
纳米管阵列锐钛矿二氧化钛择优取向晶面塑性变形二氧化钛纳米管阵列制备方法和应用光电转化效率六边形排列阳极氧化法纯钛阳极二氧化钛高度有序基体晶粒排列整齐锐钛矿型阳极氧化电荷超细晶低成本纯钛制备传输污染

[发明专利]银纳米棒-二氧化钛复合材料及其制备方法与用途-CN201710658532.8有效
发明人：谢晓峰;曾庆龙;吕娜;王晓;史淦生 -专利权人：江苏安纳泰环保科技有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种银纳米棒‑二氧化钛复合材料及其制备方法与用途，包括：银纳米棒和二氧化钛颗粒，所述二氧化钛颗粒部分原位生长在所述银纳米棒表面，另一部分分散在所述银纳米棒的空隙之间使所述银纳米棒和所述二氧化钛的重量比为(0.0025～1)：1，提供一种能够对气相污染物进行有效光催化降解的银纳米棒‑二氧化钛复合材料及其制备方法与应用。
纳米氧化复合材料及其制备方法用途

[发明专利]一种铋酸银-银-二氧化钛纳米管阵列的制备方法及其应用-CN201811052194.4有效
发明人：徐光青;庞亚俊;陈婧;张鹏杰;吕珺;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋酸银‑银‑二氧化钛纳米管阵列的制备方法，具体步骤如下：采用阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列、煅烧晶化获得锐钛矿二氧化钛纳米管阵列，然后置于含有硝酸铋和硝酸银的混合溶液中浸渍；最后置于氢氧化钾溶液中进行共沉淀反应即得产物采用共沉淀法制备铋酸银‑银‑二氧化钛复合纳米管阵列，相比较于单纯的二氧化钛纳米管阵列，铋酸银‑银‑二氧化钛纳米管阵列的表面电化学反应得以调控，在降低其分解水的同时提高了其对有机物污染物的分解能力，实现了其为对含有有机污染物水体的选择性氧化，得到了具有高光电化学检测性能的二氧化钛复合阵列材料。
一种铋酸银氧化纳米阵列制备方法及其应用

[发明专利]一种火焰共掺杂Sn，W离子到二氧化钛光电极的方法-CN202010128732.4在审
发明人：施伟东;陈必义;傅诗萌;陈雪;李琪;杨志东;朱芳芳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料光电化学分解水制氢领域，特指一种非原位火焰掺杂Sn，W离子二氧化钛纳米棒阵列的方法。首先采用水热法在导电玻璃(FTO)上生长得到排列整齐的金红石二氧化钛纳米棒光电极，然后将含有Sn，W离子的前驱液旋涂到二氧化钛光电极表面，待溶剂挥发后将其置于丁烷火焰中烧灼，驱动Sn，W离子快速扩散到二氧化钛的表界面区域
一种火焰掺杂 sn 离子氧化电极方法

[发明专利]一种用于储能设备的氮掺杂碳纳米线/二氧化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法-CN201410155595.8有效
发明人：唐浩林;熊明;蔡世昌;魏希;潘牧 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于储能设备的氮掺杂碳纳米线/二氧化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法。首先,在纯钛或者钛合金表面生长一定形状的二氧化钛纳米管阵列,然后用多巴胺的缓冲溶液对其进行真空浸渍,使多巴胺单体进入到二氧化钛纳米管中,再通入氧气使多巴胺单体在二氧化钛纳米管中发生氧聚合，在二氧化钛纳米管阵列的诱导效应下，从二氧化钛纳米管中长出聚多巴胺纳米线。最后在惰性气氛下升温使聚多巴胺纳米线碳化，形成氮掺杂碳纳米线/二氧化钛纳米管阵列复合材料。该复合材料的二维阵列结构有利于电解质离子的扩散，同时具有较高的比表面积，可以应用于超级电容器和锂离子电池负极材料中。
一种用于设备掺杂纳米氧化阵列复合材料及其制备方法

[发明专利]光电解水用氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料及其制备方法-CN201510369264.9有效
发明人：袁伟永;袁佳;李长明 -专利权人：西南大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电解水用氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料及其制备方法，首先采用水热法合成二氧化钛纳米线阵列，进一步热处理使二氧化钛纳米线阵列形成锐钛矿晶型结晶，再在多胺类聚合物的参与下，采用水热反应使氧化亚铜生长于二氧化钛纳米线阵列上本发明制备得到的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极除了基本保持二氧化钛电极在紫外区的光吸收以外，还极大地增强了在可见光区的吸收，同时大大降低了界面的电荷传递电阻，使得产生的光电流达到了纯二氧化钛光阳极的
电解水氧化亚铜复合氧化纳米阵列阳极材料及其制备方法

[发明专利]氧化锌纳米棒阵列在二氧化钛薄膜上的直接垂直沉积方法-CN200810185086.4无效
发明人：井立强;田晓亮;付宏刚;付薇 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：氧化锌纳米棒阵列在二氧化钛薄膜上的直接垂直沉积方法，氧化锌是一种重要的无机半导体功能材料，由于它拥有独特的催化、电学、光学以及光化学等方面的性能而引起人们广泛的关注。一维氧化锌纳米线阵列的显著激光行为激起了人们对一维氧化锌控制合成的兴趣。在室温条件下，制备二氧化钛溶胶，预处理，通过浸渍、提拉的方法在预处理过的玻璃或导电玻璃ITO上附着一层二氧化钛溶胶，干燥，旋涂之前二氧化钛纳米粒子要经过预处理，接着采用旋涂的方法在上述底片上固定一层溶胶-水热法制备的二氧化钛纳米粒子，干燥，焙烧，得到纳米二氧化钛薄膜，将纳米二氧化钛薄膜放入锌盐和有机胺的密封水溶液体系中，在45-90℃反应温度下反应12-72小时，取出，用二次水冲洗，干燥。本发明涉及一种纳米材料。
氧化锌纳米阵列氧化薄膜直接垂直沉积方法

[发明专利]一种基于双层复合结构的光阳极-CN201710267792.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：柳州博泽科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于双层复合结构的光阳极，该光阳极具体结构为：以FTO为基底，在FTO基底表面水热生长有二氧化钛纳米棒层，然后在二氧化钛纳米棒层之间设有氧化锌微球层、在二氧化钛纳米棒层之上设有二氧化钛空心球层
一种基于双层复合结构阳极

[发明专利]低温制备二氧化钛纳米棒阵列材料的方法-CN201010229294.7无效
发明人：何小珊;胡陈果 -专利权人：重庆大学
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备二氧化钛纳米棒阵列材料的方法，适合二氧化钛纳米棒阵列材料的制备。包括以下步骤，清洗基片、去氧化层、配制反应溶液、加热反应、冷却、洗涤。
低温制备氧化纳米阵列材料方法

[实用新型]一种掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器-CN201420637782.5有效
发明人：沈洁;谢贵久;颜志红;曹勇飞;潘喜成;宋祖殷 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体气敏元件技术领域，具体涉及一种掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器，从下至上依次包括：钛片、二氧化钛纳米管阵列层、金属钯层、金属电极层，所述二氧化钛纳米管阵列层为掺氮二氧化钛纳米管阵列层。所述掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器在室温下具有良好的灵敏度，快速的响应时间和低的氢气检测下限值，同时所述掺氮二氧化钛纳米管氢气传感器的制备方法简便，易于实现。
一种掺氮二氧化纳米氢气传感器

[发明专利]一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用-CN201310012822.7有效
发明人：赵国华;田弘毅;曹同成;张亚男 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)对掺氟二氧化锡导电玻璃去除表面油脂粉尘；(2)将经步骤(1)处理的掺氟二氧化锡导电玻璃加入水热溶液中进行水热处理，得到金红石相二氧化钛纳米棒；(3)将金红石相二氧化钛纳米棒加入溶剂热溶液中进行溶剂热处理，然后用无水乙醇冲洗，晾干，并退火热处理后，得到二氧化钛异质结光阳极；以二氧化钛异质结光阳极作为光阳极，采用三电极体系，利用模拟太阳光氧化降解有机废水与现有技术相比，本发明制得的二氧化钛异质结光阳极为纳米阵列，具有高度分布的异质结构、较高的比表面积、较大的活性晶面暴露、较强的太阳光光电催化活性。
一种氧化钛异质结光阳极制备方法及其应用

[发明专利]一种银修饰晶型二氧化钛纳米管层的制备方法-CN201810706620.5有效
发明人：李宝娥;马建威;郝静祖;周琳熙;李海鹏;梁春永;王洪水 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种银修饰晶型二氧化钛纳米管层的制备方法，包括三个步骤：通过恒压阳极氧化在医用纯钛表面构筑一层二氧化钛纳米管层；将制得的二氧化钛纳米管阵列层置于装有硝酸银溶液的离心管内离心，得到离心吸附装载硝酸银的二氧化钛纳米管阵列层；离心吸附硝酸银的二氧化钛纳米管阵列层，通过热处理分解硝酸银同时二氧化钛由无定型向晶型转变得到锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列层。本发明制备得到的银修饰晶态纳米管阵列，实现了纳米管形貌、特定晶体类型以及银修饰的结合，银修饰晶型纳米管阵列层在诱导模拟体液中体现出良好的磷灰石沉积的能力以及抗菌性，从而达到了提高医用钛表面的生物相容性以及赋予其抗菌性的表面改性目的
一种修饰晶型二氧化纳米制备方法

[发明专利]氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法-CN201910086784.7有效
发明人：任洋;贺海燕;方彤;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜，以钠钙玻璃为基板，在基板上覆盖有氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜。该薄膜能够解决当前二氧化钛电致变色性能低的问题。本发明薄膜的制备方法具体为：步骤1，配制含Ti‑F元素的复合溶胶C；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，将带有氟掺杂二氧化钛感光凝胶膜基片置于四光束激光干涉系统中曝光；步骤4，将曝光后的氟掺杂二氧化钛感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，将未曝光部分溶洗去除，得到氟掺杂二氧化钛的纳米阵列凝胶膜基片；步骤5，将氟掺杂二氧化钛的纳米阵列凝胶膜基片放置于马弗炉中于450℃下真空退火处理60分钟，得到氟掺杂二氧化钛的纳米阵列电致变色薄膜。
掺杂氧化纳米阵列变色薄膜及其制备方法

[发明专利]一种Ta离子掺杂二氧化钛纳米管及其制备方法和应用-CN202310137826.1有效
发明人：卢燃;姚尧;王玉记;周建;陈溯 -专利权人：首都医科大学附属北京口腔医院
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ta离子掺杂二氧化钛纳米管及其制备方法和应用，属于生物材料技术领域。以解决现有TiO2纳米管强度不足、成骨性能不佳的技术问题。制备方法包括：以钛片为阳极，在含氟电解液中进行阳极氧化，得到表面生长有二氧化钛纳米管阵列的钛片；以表面生长有二氧化钛纳米管阵列的钛片为阴极，石墨为阳极，在硫酸溶液中进行阴极极化酸洗，得到钛基底模板；钛基底模板为阳极，在含钽电解液中进行二次阳极氧化，得到表面生长有钽掺杂二氧化钛纳米管阵列的钛片；将表面生长有钽掺杂二氧化钛纳米管阵列的钛片进行煅烧，得到Ta离子掺杂二氧化钛纳米管。
一种 ta 离子掺杂氧化纳米及其制备方法应用