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[发明专利]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202210512768.1在审
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[实用新型]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202221133163.3有效
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构-CN200410033728.0有效
发明人：许世昌;许进恭 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆晶式发光二极管封装结构，包含一萧特基二极管群、一发光二极管及多个凸块，其中萧特基二极管群包含多个萧特基二极管，且这些萧特基二极管用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块配置于一萧特基二极管与发光二极管之间，使得萧特基二极管群与发光二极管反向并联，而此发光二极管以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极管上。此覆晶式发光二极管封装结构可有效防止静电破坏，并可提高光取出效率，而且萧特基二极管的子基座为硅材质，其散热性良好，故可增加本覆晶式发光二极管封装结构的寿命。
覆晶式发光二极管封装结构

[发明专利]一种堆叠式有机发光二极管-CN201210073281.4无效
发明人：张色冯;苏君海 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式有机发光二极管，包括：衬底；第一有机发光二极管，所述第一有机发光二极管设置在所述衬底表面上；绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一有机发光二极管表面上；第二有机发光二极管，所述第二有机发光二极管设置在所述绝缘层表面上；所述第一有机发光二极管和第二有机发光二极管连接同一电源，采用并联方式工作，并且所述堆叠式有机发光二极管可以实现单面发光或双面发光。本发明所提供的堆叠式有机发光二极管改进了现有的堆叠式有机发光二极管的结构和驱动模式，降低了堆叠式有机发光二极管的生产成本和使用成本。
一种堆叠有机发光二极管

[发明专利]自举二极管仿真器电路-CN201711344011.1有效
发明人：陈安邦 -专利权人：科域科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：一种自举二极管仿真器电路，包括晶体管器件和二极管式器件。晶体管器件被布置在自举二极管仿真器电路的阴极处。二极管式器件的阴极连接到晶体管器件而二极管式器件的阳极形成所述自举二极管仿真器电路的阳极。
二极管仿真器电路

[实用新型]一种带状发光二极管灯-CN01255016.7无效
发明人：俞志龙 -专利权人：上海威廉照明电气有限公司
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： F21S4/00 文献下载
摘要：一种带状发光二极管灯,包含桥式整流电路,以及n个稳压管—发光二极管支路,各支路中稳压二极管的正极与发光二极管的负极相连,稳压二极管的负极与发光二极管的正极相连,带状发光二极管灯还包含一端形成该二极管灯的交流输入端、另一端形成该二极管灯的交流输出端的二路导线,桥式整流电路中相同极性对接的两组二极管串联支路分别并联在交流输入端和交流输出端,n个稳压管－发光二极管支路分别以相邻发光二极管的不同极性串联后耦连在桥式整流电路中相同极性对接的两点之间
一种带状发光二极管

[发明专利]致冷式发光二极管模块-CN201010624438.9无效
发明人：林翊轩 -专利权人：昆山旭扬电子材料有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种致冷式发光二极管模块，所述致冷式发光二极管模块包含基板及至少一致冷式发光二极管元件。所述至少一致冷式发光二极管元件设置于所述基板上，所述致冷式发光二极管元件包含至少一发光二极管芯片及一致冷芯片，所述致冷芯片与所述至少一发光二极管芯片贴合。通过所述致冷芯片的致冷功能对所述发光二极管元件进行散热。
致冷发光二极管模块

[发明专利]金属式二极管和金属式三极管-CN200510088058.7无效
发明人：王继文 -专利权人：王继文
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：金属式二极管和金属式三极管，它涉及一种金属式二极管和金属－固体电解质式二极管和金属－绝缘层－金属式二极管，及金属式三极管。是利用金属和离子导体间的关系来产生金属式二极管和金属式三极管，异质金属间因能级差异存在着电场，电解质由离子作为电荷载体，并不能直接传导电子，并且它在电场作用下会形成一个空间电荷区，利用金属－固体电解质间的关系来产生出金属式二极管和金属－固体电解质式二极管，及金属式三极管，利用隧道效应来产生金属－绝缘层－金属式二极管。
金属二极管三极管

[发明专利]覆晶式发光二极管单元-CN201310698963.9在审
发明人：陈正言;吴协展;苏柏仁 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种覆晶式发光二极管单元，包含：一基板、一设置于该基板上的电极垫组，及一设置于该电极垫组上的覆晶式发光二极管组。其中，该覆晶式发光二极管组包括一个第一覆晶式发光二极管，及两个间隔设置的第二覆晶式发光二极管。该第一覆晶式发光二极管与每一第二覆晶式发光二极管彼此串联。该覆晶式发光二极管单元的额定电压为9伏特且总功率为3瓦。通过该第一覆晶式发光二极管及所述第二覆晶式发光二极管彼此串联的设计排列，使本发明运用于广告灯箱时，能在效率最佳的前提下产生更均匀的光照。
覆晶式发光二极管单元

[实用新型]用于发光二极管背光模块的发光二极管光源装置-CN200720003127.4无效
发明人：翁得钦;吕翰伟 -专利权人：丰艺电子股份有限公司
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种用于背光模块的可抽换式发光二极管光源装置，包括：一设置有多个发光二极管的活动式发光二极管条，用以提供一背光模块光源；以及一固定板，其是经由所述背光模块的置放壳上的一裂口，而将所述活动式发光二极管条固定于所述置放壳藉此，当所述活动式发光二极管条上的发光二极管故障时，可抽换所述发光二极管光源装置。
用于发光二极管背光模块光源装置

[发明专利]具有肖特基二极管的整流器装置-CN201180038451.9有效
发明人： A·格拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种整流器装置，其具有压入式二极管，所述压入式二极管包含肖特基二极管作为半导体元件。肖特基二极管在二极管损耗随温度增加而升高的工作区域中运行。
具有肖特基二极管整流器装置

[发明专利]一种新型压接式二极管压接结构-CN201610475118.9在审
发明人：吴企尧;李鹏;张朝山;杜济园 -专利权人：西安开天电力电子技术有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型压接式二极管压接结构。该发明中涉及的二极管为压接式二极管。压接式二极管里面封装的二极管芯片是和压接面分离的，在使用过程中，必须先对二极管施加一定的压接力，使上下压接面和二极管芯片充分接触，才能使压接式二极管正常工作。但在3000V及其以上电压等级的大功率IGBT吸收回路中，模块式二极管的管芯为两个二极管芯片串联的结构，使用时必须用电阻进行均压，这样就增加了吸收回路的复杂程度。该发明主要针对3000V及以上电压等级的大功率IGBT吸收回路而专门设计的新型压接式二极管压接结构。
一种新型压接式二极管结构

[发明专利]发光二极管灯具及其制造方法-CN201110166945.7无效
发明人：赖国瑞;何恭琦 -专利权人：瑞莹光电股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管灯具及其制造方法。在发光二极管灯具的构造中，发光二极管被设计地更靠近灯罩的内壁，从而使发光二极管灯具具有高亮度及高光利用效率。发光二极管灯具的制造方法包括下列步骤。首先，提供一支撑架，并将至少一可挠式发光二极管灯条组装于支撑架上。接着，令可挠式发光二极管灯条贴近支撑架，并将可挠式发光二极管灯条以及支撑架置入灯罩中，在可挠式发光二极管灯条以及支撑架置入灯罩后，可挠式发光二极管灯条向外弯曲而趋向灯罩的内壁。
发光二极管灯具及其制造方法

[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法-CN201410317670.6在审
发明人：叶果;林峰 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法。所述背照式CMOS影像传感器包括二极管阵列，其中，所述二极管阵列包括成阵列状排布的无机光电二极管及围绕所述无机光电二极管的有机光电二极管。本发明中，在无机光电二极管的上方周围形成了有机光电二极管，通过有机光电二极管和无机二极管的混合，充分的利用像素阵列的面积，提高了量子转换效率。
背照式 cmos 影像传感器及其制造方法

[实用新型]一种基于IGBT的直流电力系统限流装置的桥式电路结构-CN201620244599.8有效
发明人：钟权恩 -专利权人：科广电子（东莞）有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于IGBT的直流电力系统限流装置的桥式电路结构，包括直流电源、二极管桥式电路和IGBT电路，所述直流电源的正极连接有电感，所述电感通过开关连接有检测电路，所述检测电路连接有驱动电路，所述检测电路和二极管桥式电路相连，所述直流电源的负极连接有负载，所述二极管桥式电路由VD₁二极管、VD₂二极管、VD₃二极管和VD₄二极管串联组成，所述检测电路连接于VD₁二极管与VD₃二极管之间，所述负载连接于VD₂二极管与VD₄二极管之间，所述IGBT电路并联于二极管桥式电路，所述IGBT电路包括IGBT，所述IGBT并联有R₁电阻、电容、VD₅二极管和VD₆二极管，具有结构简单，限流动作迅速准确，适用范围广，安全可靠的优点，限流效果良好，有较强的实用性。
一种基于 igbt 直流电力系统限流装置电路结构

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