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[发明专利]粉体的合成方法以及电子部件的制造方法-CN200910174153.7无效
发明人：黄锦涛;井村友哉;中畑功;增泽清幸 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：通过使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，并将生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒，与仅有水时相比，可以缓和用于形成亚临界或者超临界状态的临界条件。
合成方法以及电子部件制造

[发明专利]超临界冷却系统-CN201910424989.1有效
发明人：昂德里克·皮耶特·雅各布斯·大·博克;威廉姆·德怀特·格斯乐 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F25B9/00 文献下载
摘要：一种超临界冷却系统和方法将冷却回路中的冷却流体的压力增加到高于冷却流体的超临界压力的压力。冷却流体在冷却回路暴露的温度下处于超临界状态。当冷却流体处于超临界状态时，冷却流体移动通过冷却回路。在冷却流体在冷却回路中移动时，使用处于超临界状态的冷却流体冷却机器。
临界冷却系统

[发明专利]异物除去法及膜形成方法-CN00100676.2无效
发明人：森田清之;大塚隆;上田路人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-01-27 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳，在白金薄膜13上形成BST薄膜14，与此同时，除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高，超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性，可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理，还可以形成氧化膜、氮化膜等。
异物除去形成方法

[发明专利]用于能量效率和节能的方法、装置和系统，包括使用寄存器次级不间断电源的改进的处理器核深断电退出等待时间-CN201280063841.6在审
发明人： I·M·索迪;A·纳韦;M·泽尔里克森;S·S·加哈吉达;V·乔治 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：通过向驻留在处理器的临界状态寄存器内的常开保持器电路提供次级不间断电源，可在深断电模式期间维持处理器状态数据。当这些寄存器接收到指示处理器功率状态将要从活动处理器功率状态减少为零处理器功率状态的控制信号时，它们将临界状态数据从临界状态寄存器的锁存器写到被提供有不间断电源的保持器电路。然后，当寄存器接收到指示处理器的处理器功率状态将要增加回活动处理器功率状态的控制信号时，存储于保持器电路内的临界状态数据被写回临界状态寄存器的锁存器。
用于能量效率节能方法装置系统包括使用寄存器次级不间断电源改进处理器断电

[发明专利]医用中子源和用于医用中子源的核反应堆-CN201680059324.X有效
发明人：谢尔盖·罗尼多维奇·多罗霍维奇;尤里·埃克斯维奇·卡扎尼斯克;尤里·亚历山德罗维奇·库拉琴科;拉里翁·亚历山德罗维奇·列别杰夫;瓦列里·阿列克谢耶维奇·列夫琴科;亚历山大·瓦列里维奇·列夫琴科;叶夫根尼·谢尔盖耶维奇·马兹斯维奇 -专利权人：创新研究开发中心
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：将设定温度的冷却剂导入处于亚临界状态的、医用中子源的核反应堆芯。核反应堆芯从亚临界状态转为临界状态直至核反应堆达到额定功率。打开中子输出通道进行中子治疗，在中子治疗期间将反应堆保持在额定功率下运行；中子治疗结束后，关闭中子输出通道，同时反应堆转入亚临界状态。堆芯转入临界状态以及核反应堆在额定功率下运行期间，将进入堆芯的冷却剂温度保持在设定温度不变。
医用中子源用于核反应堆

[发明专利]基于不可控事件的自动制造系统最大许可行为控制方法-CN201910714151.6有效
发明人：罗鹏;胡核算;马艳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明属于自动制造系统技术领域，公开了一种基于不可控事件的自动制造系统最大许可行为控制方法，首先找出因为不可控事件导致的坏状态的变化，原来的好状态或者是临界状态可能因为不可控事件而变成坏状态；其次找出由不可控事件导致的临界状态的变化，原来的临界状态一部分可能变成了坏状态，另外原来的好状态此时可能变成了临界状态；然后好状态因为不可控事件的影响将会在原来的基础上减少，原来的好状态可能变成了坏状态，也可能变成了临界状态；最后输出的好状态即为自动制造系统考虑不可控事件的最大许可行为
基于可控事件自动制造系统最大许可行为控制方法

[发明专利]计算机系统、计算机网络及其方法-CN200510107429.1有效
发明人：席振新;张怡;田宏萍;周建 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：该计算机系统包括：死机状态检测模块、临界状态转换模块以及死机状态信息记录模块。其中，该死机状态检测模块用于判断计算机是否处于死机状态，当计算机被判断为处于死机状态时，激活临界状态转换模块，并设置一个临界状态的标志位；临界状态转换模块，当其被激活后，进行重启过程，读取死机状态检测模块设置的临界状态的标志位，当发现该标志位有效后，在特定的内存空间将BIOS或EFI初始化到能够满足应用程序执行的条件；死机状态信息记录模块记录计算机死机时的各种状态信息。
计算机系统计算机网络及其方法

[实用新型]萃取装置-CN99224988.0无效
发明人：吴士杰 -专利权人：吴士杰
申请日： 1999-09-03 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： B01D11/00 文献下载
摘要：该萃取装置包括萃取液贮槽、管路、超临界状态发生器和萃取器。其要点是用超临界状态发生器取代现有的萃取装置中的高压泵。超临界状态发生器由圆柱形发生器壳体和加热水套构成,加热水套套装在圆柱形发生器壳体上。超临界状态发生器通过管路分别与萃取液贮槽和萃取器连接。本实用新型由于去掉了高压泵,大幅度降低了产品的生产成本,且使用方便。
萃取装置

[发明专利]核反应堆一回路冷却剂临界溶解硼含量的计算方法-CN201910187364.8有效
发明人：李国仁;曹广玉;李昕洁 -专利权人：广西防城港核电有限公司;中国广核集团有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种核反应堆一回路冷却剂临界溶解硼含量的计算方法，包括：将上一次启堆时的临界状态与本次启堆时的预估临界状态进行比较计算反应性的变化量；上一次启堆时的临界状态的相应变量包括第一一回路冷却剂溶解硼含量；本次启堆时的预估临界状态的相应变量包括第二一回路冷却剂溶解硼含量；上一次启堆时的临界状态与本次启堆时的预估临界状态通过列反应性平衡公式计算第二一回路冷却剂溶解硼含量的反应性；通过第二一回路冷却剂溶解硼含量的反应性乘以对应的硼微分价值计算出本次启堆时的第二一回路冷却剂溶解硼含量的值本发明的核反应堆一回路冷却剂临界溶解硼含量的计算方法，可以避免反应性带来的理论数据误差，计算更加精准。
核反应堆回路冷却剂临界溶解含量计算方法

[发明专利]老化硅胶复合绝缘子的处理方法及设备-CN202310626836.1在审
发明人：李强;雷鸣东;李子由;干强;余荣兴;田松丰;韦晓星;周威振;刘世增;康兵;许志浩;何俊佳 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司大理局
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01B17/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种老化硅胶复合绝缘子的处理方法及设备，包括如下步骤：将样品置于密闭的容纳腔内并向所述容纳腔内加入液体；根据当前环境信息以及所述液体的成分，确定所述液体达到所述超临界状态所需的温度和压强；对所述容纳腔内的温度和压强进行调节，使得所述液体达到所述超临界状态；将所述液体维持超临界状态达到预设时长在预设时长内使所述液体维持在所述超临界状态，使所述样品与超临界状态的所述液体进行充分反应；其中，所述样品为所述硅胶复合绝缘子的硅橡胶伞裙
老化硅胶复合绝缘子处理方法设备

[发明专利]色谱仪-CN201810155318.5有效
发明人：服部考成 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：在色谱仪(1)中，在将色谱柱内的液体置换成超临界状态的二氧化碳时，通过流量控制部(432)控制第1泵的动作，以恒定压力供给超临界状态的二氧化碳。因此，在将色谱柱内的液体置换成超临界状态的二氧化碳时，能够抑制对色谱柱施加过量的压力。另外，流量控制部(432)控制第1泵(3)的动作，以使得其后当超临界状态的二氧化碳的流量达到规定的流量时，以恒定流量供给超临界状态的二氧化碳。因此，能够使在色谱仪(1)中用于供给超临界状态的二氧化碳的动作自动化，能够提高用户的操作性。
色谱仪

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN201310293667.0在审
发明人：洪俊雄;郭乃萍;张坤龙;陈耕晖;王裕谦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该存储器装置，包含非易失性电荷陷获存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态来储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，其中这些临界状态包含一其最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；一控制器，包含一待机模式、一写入模式及一读取模式；保持检查程序在电源开启时执行，或者在待机模式时执行，用以辨识未通过一保持临界检查的这些较高临界状态的存储器单元；另外，提供一程序，用以重新编程这些辨识出的存储器单元
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种快速判断分子筛吸附饱和临界状态的方法-CN201811174193.7在审
发明人：王克亮;涂舜恒;张栖;姚伟卿;王静;邹海英;胡金梅 -专利权人：广东环境保护工程职业学院
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于VOCs治理工程领域，公开了一种可以用于快速判断VOCs治理设施里面分子筛吸附VOCs饱和临界状态的方法，其主要通过在分子筛吸附床层的前后端设置两个VOCs气体浓度传感器，检测VOCs气体前后端的浓度变化，从而判断分子筛吸附床层是否达到吸附饱和状态，起到及时更换分子筛吸附床层的目的。本发明从VOCs气体浓度与分子筛吸附临界状态两个方面入手，建立VOCs气体浓度与分子筛吸附临界状态的关系模型，确定了相关参数，从而达到判断分子筛吸附临界状态的目的。
分子筛吸附临界状态分子筛吸附床层快速判断饱和浓度传感器工程领域关系模型浓度变化吸附饱和相关参数治理检测

[发明专利]一种煤的跨临界催化气化方法-CN201010297779.X无效
发明人：谷俊杰;李金来;甘中学;谷蔚;王青 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C10J3/46 文献下载
摘要：本发明涉及煤的跨临界催化气化方法，包括将煤粉、水和催化剂加到一组串联反应器中进行处理，其中所述煤粉、水和催化剂加到所述一组串联反应器中的第一个反应器，所述一组串联反应器的温度和压力从第一个反应器开始依次交替处于水的亚临界状态-超临界状态，上一个反应器的产物全部作为下一个反应器的进料，并且经由热泵系统从处于水的亚临界状态的反应器向处于水的超临界状态的反应器中供应热量。
一种临界催化气化方法

[发明专利]一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备-CN202111012716.X在审
发明人：郑雯;徐传鑫;胡朋月 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备，所述清洗方法包括以下步骤：提供经化学机械研磨后的半导体基片；将半导体基片置于超临界状态下的气体氛围中，半导体基片上的污染物溶解于超临界状态下的气体中，对超临界状态下的气体进行减压，使气体与污染物分离。本发明通过采用超临界状态下的气体对半导体基片进行清洗，能够有效清除半导体基片上的污染物，改善清洗效果，尤其对于去除半导体基片的凹陷中的颗粒和污染物具有优异的清洗效果。
一种用于化学机械研磨清洗方法设备