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[发明专利]一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111336906.7在审
发明人：刘云 -专利权人：金琥新能源汽车(成都)有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供了一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质，涉及桥臂串扰技术领域。该桥臂串扰处理方法应用于逆变桥，逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件，当任一桥臂导通时，获取预设周期内输入的直流电压值，然后依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压，其中，目标桥臂与导通的桥臂关联，并且当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时，控制串扰抑制组件动作，以防止目标桥臂发生串扰。本申请具有能够防止桥臂串扰的优点。
一种桥臂串扰处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种串扰抑制的控制电路和控制方法-CN202310166948.3在审
发明人：王旭;卢圣文;曾宏;陈彦;彭鹏;李诚;禹辉;王锦源 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种串扰抑制的控制电路和控制方法，控制电路包括检测模块、电平翻转模块、上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块；检测PWM控制信号的下降沿产生翻转信号，对次级控制信号进行电平翻转，使能翻转后的次级控制信号交替导通上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块，在上下桥臂发生串扰之前提前吸收掉上下桥臂导通至关断时刻产生的串扰应力，从而实现对上下桥臂的串扰现象主动抑制，在不牺牲上下桥臂开关器件的开关速度、开关损耗的前提下，可高效可靠的实现对上桥臂和下桥臂的串扰现象的主动抑制，提高开关器件的可靠性，且电路结构易于实现，成本低。
一种抑制控制电路控制方法

[发明专利]一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路及其控制方法-CN202111094034.8在审
发明人：肖龙;詹荣花;颜文煅;李岩;连和谬;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，尤其是涉及的是一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，所述电路包括上桥臂电路、下桥臂电路，该上桥臂电路与该下桥臂电路均包括控制组件、驱动电路以及串扰抑制电路。该电路在抑制串扰导通的同时，避免了宽禁带半导体器件反向续流阶段的门级反向过压，提高了宽禁带半导体器件门级的安全性。
一种抑制电路串扰导通电平驱动及其控制方法

[实用新型]一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路-CN202122264255.7有效
发明人：肖龙;詹荣花;颜文煅;李岩;连和谬;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，尤其是涉及的是一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，所述电路包括上桥臂电路、下桥臂电路，该上桥臂电路与该下桥臂电路均包括控制组件、驱动电路以及串扰抑制电路。该电路在抑制串扰导通的同时，避免了宽禁带半导体器件反向续流阶段的门级反向过压，提高了宽禁带半导体器件门级的安全性。
一种抑制电路串扰导通电平驱动

[发明专利]一种整流桥复用防输出串扰电路-CN202210997839.1在审
发明人：郭建平;陈宇棠;罗宇萱 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种整流桥复用防输出串扰电路，在整流桥复用电路的基础上设置防输出串扰电路，通过自适应体偏置模块在第二输出支路的晶体管的体二极管导通时抑制第一PMOS管的体二极管导通，从而解决了第二输出支路的晶体管的体二极管导通时第一PMOS管的体二极管导通漏电引起的输出串扰问题，使得输出电压稳压；通过充放电模块在交流电流源的第二端输出低电平时存储电压，在交流电流源的第二端输出高电平时通过放电使第一驱动的输入电压高于交流电流源的第二端输出的电压，使得第二输出支路的晶体管的体二极管导通时第一PMOS管不出现误开启现象，从而解决了第一PMOS管误开启的漏电问题引起的输出串扰，进一步使得输出电压稳压。
一种整流桥复用防输出电路

[发明专利]接收机射频前端模块及接收机-CN202011268835.7在审
发明人：张蕴千 -专利权人：千寻位置网络有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本公开是关于一种接收机射频前端模块及接收机，接收机射频前端模块包括低噪声放大器用于接收和放大第一通道的含有干扰信号的目标信号，干扰信号包括来自时钟生成模块产生的串扰信号；串扰提取模块与时钟生成模块连接，用于获取并输出串扰信号；跨导单元的输入端连接至低噪声放大器的输出端、串扰提取模块的输出端，用于接收目标信号和串扰信号，并根据目标信号和串扰信号的差值输出目标电流信号；其中，目标电流信号不含串扰信号。
接收机射频前端模块

[发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路-CN202110292262.X有效
发明人：张少昆;范涛;温旭辉 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：控制模块、上桥臂电路及下桥臂电路，控制模块发出上桥臂SiC MOSFET及下桥臂SiC MOSFET的控制信号；上桥臂电路及下桥臂电路均包括：推挽电路，用于根据控制信号生成正向驱动电压或负向驱动电压；串扰抑制电路，用于基于正向驱动电压，将SiC MOSFET的栅‑源电压从零电压上升至正向驱动电压，驱动SiC MOSFET导通；或基于负向驱动电压，在正向串扰发生之前，将SiC MOSFET的栅‑源电压下降至负向驱动电压，驱动SiC MOSFET关断，从而避免了正向串扰电压尖峰误导通SiC MOSFET，并在正向串扰发生之后、负向串扰发生之前，将SiC MOSFET的栅‑源电压从负向驱动电压钳位至零电压，从而避免了负向串扰电压尖峰击穿
一种 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]用于串扰估计的设备及相关的方法-CN200910166994.3有效
发明人： C·J·努兹曼;A·J·德林德万韦恩加登;P·A·怀廷;J·J·M·马斯;G·G·T·克雷默;H·乔;A·E·阿希赫明 -专利权人：阿尔卡特朗讯公司
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于估计预编码组中的通信线路之间的串扰的串扰估计设备。该串扰估计设备包括用于发送导频序列的发送装置和用于接收预编码组中一个或多个通信线路上的差错反馈的接收装置。该串扰估计设备还包括用于将该导频序列和该差错反馈相组合从而获得通信线路之间的串扰估计的串扰估计装置。该设备还包括用于从预编码组中选择包括一个或多个通信线路的子集的选择装置。该发送装置适于只在所述子集上发送导频序列。
用于估计设备相关方法

[发明专利]一种串扰信道估计方法、装置和系统-CN201210587463.3有效
发明人：陈兆梅;王祥;吕捷;黄庆 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种串扰信道估计方法、装置和系统，属于网络技术领域。所述方法包括：根据之前的串扰信道估计过程中确定的串扰影响数据，对系统中的非闲置线对进行分组，不同组的线对之间的串扰影响数据小于设置的第一门限值；获取当前分组下各组中线对的数目；根据各组中线对的数目，为各组分配导频序列，不同组之间至少有一对不相互正交的导频序列；使用为各组分配的导频序列，对各组的串扰信道进行估计。采用本发明，可以缩短串扰信道的估计过程所需要的时间。
一种信道估计方法装置系统

[发明专利]一种主动抑制SiC MOSFET串扰现象的驱动电路及电路改进方法-CN201810961423.8有效
发明人：王盼宝;张临志;张晓晨;王卫;刘鸿鹏;徐殿国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提出了一种主动抑制SiC MOSFET串扰现象的驱动电路及电路改进方法，属于电路设计技术领域。所述驱动电路及电路改进方法针对米勒电流经驱动回路的过程，在串扰现象发生时，利用辅助三极管的导通主动将额外的辅助电容并联在SiC MOSFET的栅源极之间，同时利用辅助二极管将额外辅助电阻并联在驱动电阻上，从而在串扰现象发生时对其进行抑制。
串扰电路改进驱动电路主动抑制电路设计技术辅助二极管辅助三极管辅助电容辅助电阻驱动电阻驱动回路栅源极导通

[发明专利]一种双通道供电装置和电子设备-CN201611090852.X在审
发明人：陆俊桦;夏盛;谢国华 -专利权人：武汉通畅汽车电子照明有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H02J4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双通道供电装置和电子设备，双通道供电装置包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；第一防反单元包括PMOS管，PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接第二防反单元以及外部的负载；栅极与防串扰单元相连；第二防反单元包括第一二极管；第一二极管的正极分别连接防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接PMOS管的源极以及负载；其中，第一功率电源的供电功率大于第二功率电源的供电功率；防串扰单元连接在PMOS管的栅极以及第一二极管的正极之间；在第二功率电源上电时，防串扰单元导通；在第一功率电源上电时，防串扰单元截止。本发明降低了功率损耗，防止了通道之间的串扰。
功率电源防串扰二极管供电装置双通道正极电子设备供电功率上电源极单元连接功率损耗负极外部串扰导通漏极外接截止

[实用新型]一种双通道供电装置和电子设备-CN201621301566.9有效
发明人：陆俊桦;夏盛;谢国华 -专利权人：武汉通畅汽车电子照明有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H02J4/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双通道供电装置和电子设备，双通道供电装置包括第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；第一防反单元包括PMOS管，PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接第二防反单元以及外部的负载；栅极与防串扰单元相连；第二防反单元包括第一二极管；第一二极管的正极分别连接防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接PMOS管的源极以及负载；其中，第一功率电源的供电功率大于第二功率电源的供电功率；防串扰单元连接在PMOS管的栅极以及第一二极管的正极之间；在第二功率电源上电时，防串扰单元导通；在第一功率电源上电时，防串扰单元截止。本实用新型降低了功率损耗，防止了通道之间的串扰。
一种双通道供电装置电子设备

[发明专利]一种利用扰码区分小区的数据发送及接收系统及方法-CN200610113906.X有效
发明人：闫发军;陶涛;葛启宏;白栋;杨庆华 -专利权人：北京泰美世纪科技有限公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：一种OFDM系统中利用扰码区分小区的数据发送及接收系统及方法，包括数据生成方法和数据接收方法。所述数据生成方法包括：对导频信息和经编码和交织的数据信息进行调制、复接；生成带有小区标志信息的扰码；进行串并变换以及加入子载波；进行IFFT变换；进行并串变换并加入循环前缀；进行低通滤波后得到发送信号。所述数据接收方法包括：对基带信号进行低通滤波；去循环前缀，进行串并变换；进行FFT变换；去掉虚子载波且进行并串变换；利用接收到的导频符号检测所属小区，对接收数据进行解扰；进行频域均衡；对数据信息进行解调
一种利用区分小区数据发送接收系统方法

[发明专利]阻性负载碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法-CN202210028848.X在审
发明人：许灏;蔡雨萌;孙鹏;赵志斌 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议
负载碳化硅 mosfet 半桥串扰电压峰值计算方法

[实用新型]一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路-CN202122265003.6有效
发明人：肖龙;詹荣花;李岩;连和谬;吴正炀;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。
一种抑制 gan hemt 半桥串扰导通驱动电路

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