“下硅层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6692356个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]压电MEMS硅谐振器及其形成方法、电子设备-CN202110475600.3有效
发明人：张孟伦;杨清瑞;宫少波 -专利权人：广州乐仪投资有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电MEMS硅谐振器及其形成方法，以及电子设备。该压电MEMS硅谐振器包括：硅基底；下空腔，下空腔的顶平面高于或者低于基底的顶平面；位于下空腔之上的保留硅层；位于保留硅层之上的压电层和上电极。形成方法包括：提供硅基底；在硅基底之上依次形成牺牲硅层、保留硅层、压电层和上电极；开刻蚀窗，去除牺牲硅层以形成下空腔，其中，牺牲硅层为第二掺杂浓度P型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通N型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度P型掺杂，或者，牺牲硅层为第二掺杂浓度N型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通P型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度N型掺杂，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
压电 mems 谐振器及其形成方法电子设备

[发明专利]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法-CN201711303308.3在审
发明人：白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法

[实用新型]一种导热硅脂-CN201821647685.9有效
发明人：周宪鹏 -专利权人：昆山博思威电子有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导热硅脂，包括下硅脂层、上硅脂层和粘合剂，下硅脂层的顶部和上硅脂层的底部通过粘合剂连接，下硅脂层的底部设有第一安装口，第一安装口内通过粘合剂连接有第一碳纤维层，上硅脂层的顶部设有第二安装口，第二安装口内通过粘合剂连接有第二碳纤维层，第二碳纤维层的底部和第一碳纤维层的顶部接触，本实用新型通过在下硅脂层的底部设有第一碳纤维层，上硅脂层内设有第二碳纤维层，第一碳纤维层和第二碳纤维层相互连接配合下硅脂层与上硅脂层进行散热，避免热量长时间存留在硅脂内，增加散热效果，减小出现硅脂软化、蠕变、应力松弛现象的发生，提高使用寿命。
硅脂层碳纤维层粘合剂本实用新型导热硅脂安装口硅脂连接配合散热效果使用寿命应力松弛散热减小蠕变软化

[实用新型]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构-CN201721705708.2有效
发明人：白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
掺杂非晶硅层本征非晶硅层受光面硅衬底层异质结电池依次设置非晶硅下层上层光电转换效率导电性本实用新型掺杂非晶硅电池受光面电学性能非晶硅层光学性能制备过程双掺杂带隙晶硅两层膜层制备种晶电池

[实用新型]一种MEMS气体传感器-CN201420455861.4有效
发明人：祁明锋;张珽;沈方平;刘瑞;丁海燕;谷文 -专利权人：苏州能斯达电子科技有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及气体检测技术领域，公开了一种MEMS气体传感器，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且向下具有厚度；绝热槽，倒扣形成于单晶硅衬底的下表面，绝热槽底面位于多孔硅层的正下方，绝热槽包括一个或多个沟槽组；下绝缘层，覆盖多孔硅层及单晶硅衬底的上表面，下绝缘层由下到上依次包括第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层和气体敏感层。本实用新型中多孔硅和隔热槽的结构增强了隔热效果，下绝缘层有效防止在高温下隔热层发生翘曲脱离加热层，同时多孔硅层的支撑防止下绝缘层受力不均引起变形破裂，提高器件的使用寿命。
一种 mems 气体传感器

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件-CN201610346850.6在审
发明人：李宇柱 -专利权人：常州中明半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，与现有技术相比较，沟槽中填充的多晶硅被介质层分隔成上多晶硅层和下多晶硅层，上多晶硅层和下多晶硅层分别和沟槽上部氧化层和沟槽下部氧化层相互接触，上多晶硅层和栅极电极相连，下多晶硅层和发射极电极相连；沟槽中上多晶硅层的底部比有源原胞的P型阱区更深。
一种绝缘栅双极型晶体管器件

[发明专利]叠层光伏器件及生产方法-CN202010231541.0在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供叠层光伏器件及生产方法，涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：上晶体硅层、下晶体硅层以及位于上晶体硅层和下晶体硅层之间的中间层；所述上晶体硅层、所述下晶体硅层、所述中间层直接接触，所述上晶体硅层和所述下晶体硅层的掺杂类型相反；所述上晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度、所述下晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度均大于或等于1018cm‑3；所述中间层包括：至少一层介电层；所述介电层的带隙宽度大于或等于3eV。本申请提高了叠层光伏器件效率，降低了串联电阻，提升了峰值隧道电流。
叠层光伏器件生产方法

[发明专利]一种具有换电网的太阳能电池及制作方法-CN201711261761.2在审
发明人：孙健春 -专利权人：孙健春
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有换电网层的太阳能电池和制作方法，包括上硅板和下硅板，所述上硅板上表面分布嵌装有上硅板导电带，所述上硅板上表面贴合有钢化玻璃层，所述钢化玻璃层上表面贴合有透镜层，所述上硅板的下表面一体成型有掺磷层，所述下硅板的下表面嵌装有下硅板导电带，所述下硅板下表面贴合有反光层，所述反光层下表面贴合有承重层，所述下硅板上表面一体成型有掺硼层，所述掺硼层与掺磷层紧密贴合，且掺硼层与掺磷层之间夹装有换电网层；通过透镜层将光线进行聚合
一种具有电网太阳能电池制作方法

[发明专利]用于形成埋式下电极连同封装的MEMS装置的系统和方法-CN201380048541.5有效
发明人： A·B·格雷厄姆;A·费伊;G·奥布赖恩 -专利权人：罗伯特·博世有限公司;A·B·格雷厄姆;A·费伊;Ｇ·奥布赖恩
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。
用于形成埋式下电极连同封装 mems 装置系统方法

[实用新型]一种无硅导热材料-CN201620009191.2有效
发明人：李忠诚 -专利权人：李忠诚
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无硅导热材料，包括上薄膜层、低粘无硅导热层、高粘无硅导热层以及下薄膜层，所述低粘无硅导热层由低含量的UV胶水和的导热粉体组成，所述高粘无硅导由高含量的UV胶水和导热粉体组成，所述上薄膜层设置于所述低粘无硅导热层的上面，所述低粘无硅导热层设置于所述高粘无硅导热层上，所述下薄膜层设置于所述高粘无硅导热层下。本实用新型的无硅导热材料安全可靠，产品符合环保要求，通过ROHS、无卤第三方检测；散热效果好，导热效果好，应用领域更广，产品自带粘性，组装方便。
一种导热材料

[发明专利]基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构-CN201610031805.1在审
发明人：肖希;李淼峰;王磊;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构，涉及光通信领域中的硅基电光可调波导器件。该结构包括由下至上设置的单晶硅材质的硅衬底、填埋二氧化硅层和单晶硅材质的外延硅层；外延硅层上设置有基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导，该波导包括硅波导下半层、栅氧层和硅波导上半层；硅波导下半层包括下波导区、下平板区和下欧姆接触区；第二电极位于下欧姆接触区上，栅氧层位于下波导区的外表面；硅波导上半层包括上波导区、上平板区和上欧姆接触区；第一电极位于上欧姆接触区上。本发明能够将光场充分与载流子积累区交叠，大幅度提高调谐效率，有利于实现更紧凑、更高效的硅基电光调谐器件。
基于插指型 mos 结构电光调谐波导

[发明专利]一种MEMS硅基微热板及其加工方法-CN201410344534.6在审
发明人：沈方平;张珽;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文 -专利权人：苏州能斯达电子科技有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅基微热板领域，公开了一种MEMS硅基微热板及其加工方法，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于所述单晶硅衬底的上表面且具有一定深度，所述多孔硅层的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜，且所述多孔硅层与所述单晶硅衬底的上表面平齐；下绝缘层，覆盖所述多孔硅层及所述单晶硅衬底的上表面；以及设置于下绝缘层上方的加热层和上绝缘层。本发明的多孔硅层可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的加热板和上绝缘层，避免器件在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时，所述多孔硅层的孔壁表面覆有二氧化硅薄膜，可以起到更好的保温隔热效果，增加微热板的探测灵敏度和使用寿命。
一种 mems 硅基微热板及其加工方法

[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420519646.6有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的凸点下金属层；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；每个所述凸点下金属层分别与一个所述凸点连接，各所述凸点下金属层间隔设置；所述锡球结构环包设置在具有互联关系的至少两个硅通孔金属柱对应的凸点下金属层上。本方案在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面联结

[发明专利]利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法-CN02105962.4有效
发明人：刘建宏;黄守伟;潘锡树 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层，接着对多晶硅层进行一离子植入步骤，将氧离子植入多晶硅层中的设定深度，随后进行回火步骤，使植入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应，而于多晶硅层中形成一层氧化硅层最后，定义氧化硅层与多晶硅层，使氧化硅层上的多晶硅层作为电容器上电极与氧化硅层下的多晶硅层作为电容器下电极，以完成混合电路元件的电容器。
利用离子植入方法制作混合电路元件电容器

[实用新型]硅晶岩喷砂吸声系统-CN201720158723.3有效
发明人：陈蓓蓓 -专利权人：南京宏润声学科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： E04B1/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅晶岩喷砂吸声系统，包括混凝土楼板，混凝土楼板下表面通过吊装结构吊装有硅晶岩喷砂吸声装置，吊装结构包括有上紧固件、连接杆和下吊顶板，上紧固件插入混凝土楼板中与混凝土楼板固定连接，连接杆连接上紧固件和下吊顶板，每块硅晶岩喷砂吸声组合板由上至下分为三层，依次为网格布层、吸声棉层和硅晶岩喷砂装饰层，网格布层贴附于下吊顶板下表面，吸声棉层贴附于网格布层下表面，若干个螺栓由下至上穿透吸声棉层、网格布层和下吊顶板，硅晶岩喷砂装饰层涂覆于吸声棉层下表面，硅晶岩喷砂装饰层将螺栓下端完全覆盖，硅晶岩喷砂吸声吊顶结构设置有若干个通音孔。
硅晶岩喷砂吸声系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条