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[外观设计]自行车架（上管）-CN201830005346.X有效
发明人：波林·戴特欧尔 -专利权人：拉普斯特公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： 12-11 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：自行车架（上管）。2．本外观设计产品的用途：用于自行车的部件。3．本外观设计的设计要点：产品的形状。4．本外观设计指定的图片为立体图。
外观设计自行车架上管自行车图片

[发明专利]上颈椎人工椎体以及上颈椎植入器-CN201910543272.9在审
发明人：肖建如;吴志鹏;龚海熠;矫健;蔡小攀 -专利权人：上海长征医院
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： A61F2/44 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种上颈椎人工椎体以及上颈椎植入器，涉及医疗设备领域，其包括用于与人体的第一颈椎承托固定的第一抵接本体，第一抵接本体的侧部设有用于避让人体的椎管的避让槽。上颈椎植入器包括上颈椎人工椎体，具有上颈椎人工椎体的所有优点。
颈椎颈椎人工椎体植入器抵接椎管避让医疗设备领域避让槽固定的承托压迫支撑

[实用新型]上颈椎人工椎体以及上颈椎植入器-CN201920949977.6有效
发明人：肖建如;吴志鹏;龚海熠;矫健;蔡小攀 -专利权人：上海长征医院
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： A61F2/44 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种上颈椎人工椎体以及上颈椎植入器，涉及医疗设备领域，其包括用于与人体的第一颈椎承托固定的第一抵接本体，第一抵接本体的侧部设有用于避让人体的椎管的避让槽。上颈椎植入器包括上颈椎人工椎体，具有上颈椎人工椎体的所有优点。
颈椎人工以及植入

[实用新型]防干涉除鳞环-CN202021956262.2有效
发明人：孙鹏;栾军;高光岩;杨睿;杨翠媛 -专利权人：辽宁宏昌重工股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B21B45/04 文献下载
摘要：防干涉除鳞环涉及一种能够去除轧制过程中轧件上氧化铁皮的装置。主要是为解决现有的除鳞环去除轧件上氧化铁皮效果差的问题而设计的。它包括上管体、下管体、左管体、右管体，进水管与上管体相连通，上管体上安装有上喷嘴，下管体上安装有若干个下喷嘴，左管体上安装有若干个左喷嘴，右管体上安装有若干个右喷嘴；左管体和右管体的顶部、底部都向后倾斜，左管体的上端与上管体的左端连接，左管体的下端与下管体的左端连接，右管体的上端与上管体的右端连接，右管体的下端与下管体的右端连接；所述左管体和右管体上的左、右喷嘴在同一水平面上，上管体和下管体的上、下喷嘴在同一水平面上优点是轧件上残余氧化铁皮去除效果好。
干涉

[实用新型]一种管口组装设备-CN202123217157.4有效
发明人：胡鑫杰;王路瑶 -专利权人：苏州弘毅辉自动化设备有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B23P19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种管口组装设备，包括：分度转盘，分度转盘上设置有物料载具；管体上料工位，包括管体上料机构、管体分料机构、管体移载机构，管体上料机构完成管体的逐一上料动作，管体分料机构与管体上料机构衔接完成管体的批量分料动作，管体移载机构将批量分料后的管体移载到物料载具中；管盖上料工位，包括管盖上料机构、管盖分料机构、管盖移载机构、管盖旋转机构，管体上料机构完成管盖的逐一上料动作，管盖分料机构与管体上料机构衔接完成管盖的批量分料动作，管盖移载机构将批量分料后的管盖移载到物料载具中管体上，管盖旋转机构将管盖旋接在管体上，本实用新型实现管体和管盖的独立上料，并实现管体与管盖的螺纹连接的自动装配。
一种管口组装设备

[发明专利]绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管-CN200910212769.9有效
发明人：李海松;王钦;刘侠;杨东林;陈文高;祝靖;刘斯扬;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
绝缘体横向绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管-CN200910212770.1有效
发明人：王钦;李海松;刘侠;杨东林;陈文高;祝靖;朱奎英;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
绝缘体横向绝缘双极晶体管

[发明专利]一种绝缘体上硅场效应晶体管-CN202111189758.0有效
发明人：潘俊 -专利权人：南京元络芯科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅场效应晶体管，包括：半导体衬底，半导体衬底的表面上具有绝缘层，绝缘层上设置有源区域；有源区域上方设置绝缘栅极介电层，绝缘栅极介电层上形成多晶硅栅极，多晶硅栅极通过绝缘栅极介电层与有源区域电性绝缘；有源区域的表面设置漏极区域和源极区域，漏极区域和源极区域分布在多晶硅栅极的两侧；半导体衬底上位于有源区域的两侧设置隔离层；有源区域上靠近多晶硅栅极宽度较长的端部的位置设置基极触点；多晶硅栅极的宽度从靠近基极触点的端部向远离基极触点的端部位置单调递减本发明可以减小栅极边缘部分的体空穴电荷密度。
一种绝缘体场效应晶体管

[实用新型]一种管体上料插套机用钢管上料机构-CN201620420942.X有效
发明人：吴继华;闫庆军;闫书恒 -专利权人：李国松
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B65G47/92 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管体上料插套机用钢管上料机构，包括主架体和放料架，放料架固定在主架体的右侧处，所述主架体的顶面上固定有多个支撑板，上移动板固定在支撑板的顶面上，所述放料架的顶面两侧固定有两个主连接板，两个主连接板之间的放料架的顶面上固定有自润滑导向槽体，传动螺杆的两端铰接在两个主连接板上，其中一个主连接板上固定有传动电机，传动电机的输出轴为花键轴，花键轴插套在传动螺杆的一端具有的花键孔中，放料块螺接在传动螺杆中
一种管体上料插套机用钢管机构

[实用新型]绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管-CN201020674157.X无效
发明人：时龙兴;刘斯扬;祝靖;朱奎英;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅
绝缘体横向绝缘双极晶体管

[发明专利]瞬态稳定的绝缘体上硅场效应晶体管-CN201880032560.1在审
发明人：罗伯特·马克·恩格尔基尔克;凯特·巴尔格罗夫;克里斯多佛·C·墨菲;泰罗·塔皮奥·兰塔;西蒙·爱德华·威拉德 -专利权人：派赛公司
申请日： 2018-04-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：避免或减轻在绝缘体上硅(SOI)衬底特别是具有富陷阱层的SOI衬底中产生累积电荷的变化的集成电路(IC)。
在待机模式活动模式衬底累积电荷配置绝缘体上硅受保护区域操作电压电流状态接触件陷阱层关断可选涓流集成电路中断敏感创建

[发明专利]涡旋盘管层叠体和涡旋盘管层叠体的堆叠体-CN201680009407.8有效
发明人：小林敬;黑木克英;水藤谦辅 -专利权人：株式会社UACJ铜管
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B65H55/02 文献下载
摘要：本申请在于提供一种在从卷绕成多层的盘管抽出金属管时难以产生金属管的抽出故障的问题的多层盘管。一种涡旋盘管层叠体(1)，其是沿着盘管层叠体的中心轴线的延长方向层叠多层涡旋盘管而成的盘管层叠体，该涡旋盘管是金属管(2)卷绕成涡旋状而成的，该涡旋盘管层叠体(1)包括：A层涡旋盘管(3a)，其最内侧(5a)与上一层的涡旋盘管的最内侧(5b)相连且最外侧(4a)与下一层的涡旋盘管的最外侧(4b)相连；以及B层涡旋盘管(3b)，其最外侧(4b)与上一层的涡旋盘管的最外侧(4a)相连且最内侧(5b)与下一层的涡旋盘管的最内侧(5a)相连，A层涡旋盘管(3a)和B层涡旋盘管(3b)交替地重复，各层的涡旋盘管的金属管(2)以曲率半径连续地变化且相邻的金属管(2)彼此的间隙比金属管径小的方式卷绕。
涡旋层叠堆叠

[发明专利]绝缘体上硅器件-CN201110300470.6有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅器件，其在内部设置了一用作屏蔽层的导电层，使集成电路内部的非线性可变寄生电容变为恒定寄生电容。进一步地，所述绝缘体上硅器件还在内部设置一深度增大的STI隔离区从而使该寄生电容值减小。当绝缘体上硅器件工作时，施加于器件上的射频信号会尽可能少的从该寄生电容泄露，且得到的射频信号为线性信号，符合射频设备的使用要求。
绝缘体器件

[发明专利]泵体上钻孔加工方法-CN202111277808.0有效
发明人：戴利收;曾瑞才;吴崇高;张书顺;黄金朝 -专利权人：浙江吉尚汽车部件有限公司
申请日： 2021-10-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B23B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及泵体上钻孔加工方法，先将泵体定位固定，再由钻头钻孔在泵体的安装板上加工出安装孔，定位固定过程中，将泵体头部外圆套入定位板的定位孔中配合定位，并在泵体尾部施压配合对泵体预紧，预紧使泵体的安装板靠在定位板上，预紧状态下泵体可被转动，预紧状态下从两侧夹拢泵体油杯孔毛坯外圆的过程中对泵体进行找正并夹紧，完成泵体定位，找正并夹紧后，在泵体尾部进一步施压配合将泵体压紧在定位板上固定位置，压紧状态下泵体进行安装孔钻孔操作，从而在泵体的安装板上加工制作出安装孔。
泵体上钻孔加工方法

[实用新型]新型上颈椎重建假体-CN201820226401.2有效
发明人：杨兴海;肖建如;龚海熠;张丹;许炜;吴志鹏;矫健;袁博文 -专利权人：中国人民解放军第二军医大学第二附属医院
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： A61F2/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及新型上颈椎承载式重建假体，包括假体主体、配合部，所述假体主体包括横部、竖部，所述竖部设置在所述横部的下端中部，并与所述横部垂直连接，所述横部设有两个固定孔，所述固定孔对称设置在所述横部的前端的左右两侧其优点在于，利用承载式固定方式，使假体能够进行寰枢椎切除后的枕颈重建，解决了传统方式仅能进行枢椎以下重建的问题；假体上端与寰椎前弓或颅底接触面较大，形成有效的承托，避免出现下沉移位等远期并发症；假体表面具有海绵状微孔结构，利于假体与邻近骨融合。
横部假体固定孔竖部重建假体主体承载式上端颈椎下端配合本实用新型海绵状微孔传统方式垂直连接对称设置体表面具左右两侧骨融合配合孔斜向上寰枢椎移位并发症承托枢椎通孔枕颈寰椎下沉切除邻近贯穿