[发明专利]瞬态稳定的绝缘体上硅场效应晶体管在审
| 申请号： | 201880032560.1 | 申请日： | 2018-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110663181A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·马克·恩格尔基尔克;凯特·巴尔格罗夫;克里斯多佛·C·墨菲;泰罗·塔皮奥·兰塔;西蒙·爱德华·威拉德 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H01L21/762;H03K17/0412;H03K17/0416;H03K17/042;H01L29/786;H01L29/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 避免或减轻在绝缘体上硅(SOI)衬底特别是具有富陷阱层的SOI衬底中产生累积电荷的变化的集成电路(IC)。在一个实施方式中，FET被配置成使得在待机模式下，关断FET，同时保持与活动模式期间基本相同的V | ||
| 搜索关键词： | 在待机模式 活动模式 衬底 累积电荷 配置 绝缘体上硅 受保护区域 操作电压 电流状态 接触件 陷阱层 关断 可选 涓流 集成电路 中断 敏感 创建 | ||
【主权项】：
1.易受累积电荷影响并且在绝缘体上硅(SOI)衬底上制造的集成电路，所述集成电路包括至少一个场效应晶体管(FET)，所述至少一个场效应晶体管具有V
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