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- [发明专利]磁性器件和磁性存储器-CN200410083228.8有效
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中村志保;羽根田茂
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株式会社东芝
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2004-09-29
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2005-08-24
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G11B5/39
- 该磁性器件包括第一铁磁层、第二铁磁层、第三铁磁层、第一中间层、第二中间层和一对电极。第一铁磁层包括交替地层叠的磁性层和一个或多个非磁性层，磁性层中的至少一个层具有基本固定到第一方向的磁化，以及磁性层中的两个或更多个层通过非磁性层铁磁地耦合同时具有与膜平面平行的易磁化轴。第二铁磁层具有基本固定到第二方向的磁化。第三铁磁层提供在第一铁磁层和第二铁磁层之间。该第三铁磁层具有可变化的磁化方向。第一中间层提供在第一铁磁层和第三铁磁层之间。第二中间层提供在第二铁磁层和第三铁磁层之间。该电极被构造成在第一和第二铁磁层之间提供写电流以使自旋极化的电子作用于第三铁磁层，从而根据该电流的方向确定第三铁磁层的磁化方向。在写电流通过时该铁磁耦合具有能够维持磁性层的平行磁性对准的强度。
- 磁性器件存储器
- [发明专利]存储器单元和存储器器件-CN200980102325.8无效
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S·F·卡格;I·梅杰尔
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国际商业机器公司
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2009-01-14
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2010-12-08
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G11C11/16
- 根据本发明的一种存储器单元包括磁元件，该磁元件包括第一铁磁层和第二铁磁层(11，12)，该第一铁磁层和第二铁磁层的磁化的相对定向定义数据位，第一铁磁层和第二铁磁层由优选为电绝缘间隔物层(13)的非铁磁分离如磁RAM领域中已知，可以通过优选地垂直于层平面测量跨磁元件的电阻来读出数据位。除了磁元件之外，存储器单元还包括磁化方向被良好定义的又一第三磁化层(15)和电阻切换材料(14)，可以通过借助施加的电压信号使离子浓度更改来更改该电阻切换材料的载流子密度。这样，载流子密度可以在第一状态与第二状态之间切换，以在第二铁磁层与第三铁磁层的磁化之间的总磁耦合改变方向(即，总磁耦合有利于第二铁磁层和第三铁磁层的磁化方向的不同相对定向)这样的方式影响第二铁磁层与第三铁磁层之间的有效交换耦合
- 存储器单元器件
- [发明专利]存储器装置-CN202310129887.3在审
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2023-02-17
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2023-09-12
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G11C8/14
- 一种存储器装置包括：第一导体；第一堆叠体，其位于第一导体上；第二导体，其位于第一堆叠体上；第二堆叠体，其位于第二导体上；以及第三导体，其位于第二堆叠体上。第一堆叠体包括从第一导体的一侧依次堆叠的第一铁磁层、第一绝缘层、第二铁磁层、非磁性第一金属层和第三铁磁层。第二铁磁层和第三铁磁层具有相反方向的磁化。第二堆叠体包括从第二导体的一侧依次堆叠的第四铁磁层、第二绝缘层、第五铁磁层，非磁性第二金属层和第六铁磁层。第五铁磁层和第六铁磁层具有相反方向的磁化。第六铁磁层具有比第三铁磁层大的体积。
- 存储器装置
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