[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 99102808.2 | 申请日： | 1999-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1129143C | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 山田和志 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可降低写入时驱动位线的消耗功率和高速写入的静态随机存取存储器。在存储单元中写入“0”时，通过使PC为高电平之后将位线浮置，把对应的电源开关截止后浮置虚拟GND线，导通对应的补偿晶体管，使位线与虚拟GND线电连接。将虚拟GND线的电位上升至由位线与虚拟GND线的电容量比决定的电位后，存储单元降低数据保存能力，字线上升时存储单元内的闩锁迅速地反转，使写入动作高速地结束。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.半导体存储器，该半导体存储器把排列成矩阵状的多个存储单元的地线与位线并行排列，所述地线与一虚拟地线连接，所述虚拟地线与所述存储单元的位线并行排列，其特征在于包括：浮置装置，由MOS晶体管构成，与所述多个存储单元的所述虚拟地线连接，有选择地将所述多个存储单元的所述地线进行电浮置成为所述虚拟地线，和连接装置，由MOS晶体管构成，连接在所述位线和所述虚拟地线之间，在对一个存储单元进行数据写入时，把连接所述一个存储单元的虚拟地线和连接所述存储单元的位线中写入“0”的一侧的位线进行电连接。
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