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[发明专利]单晶硅制造装置的加热部、硅熔体的对流模式控制方法、单晶硅的制造方法、硅晶片的制造方法、单晶硅制造装置以及硅熔体的对流模式控制系统-CN202180086672.7在审
发明人： 横山龙介;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：加热部(1)加热石英坩埚(4B)内的硅熔体(M)。该加热部(1)具有一体成型为圆筒状的发热部(11)和将电力供给到发热部(11)的4个电力供给部(12A～12D)。在以虚拟面(VS)将加热部(1)一分为二的情况下，将位于虚拟面(VS)的一侧的第1加热区域(1A)的发热量、与位于虚拟面(VS)的另一侧的第2加热区域(1B)的发热量设定为不同的值，所述虚拟面(VS)通过发热部(11)的中心轴线(CA)，垂直于发热部(11)，并且与施加到硅熔体(M)的水平磁场的中心的磁力线平行。
单晶硅制造装置加热硅熔体对流模式控制方法晶片以及控制系统

[发明专利]单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置-CN202180075806.5在审
发明人：松岛直辉;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可以使单晶中氧浓度的面内分布均匀的单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置。一边对坩埚(11)内的熔液(2)施加横向磁场，一边提拉单晶(3)的单晶的制造方法，在晶体提拉工序中，配合熔液(2)的减少上升坩埚(11)的同时，配合熔液(2)的减少控制磁场分布，使熔液面(2s)中的磁场方向与坩埚(11)的弯曲底部在内表面的磁场方向从主体部生长工序开始到结束为恒定。
制造方法磁场产生装置

[发明专利]感应加热绕组及使用其的单晶制造装置及单晶的制造方法-CN202210445004.5在审
发明人：松岛直辉;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明抑制原料棒的融解面的高度不均来稳定地制造单晶。感应加热绕组（20）具备在中央具有开口部（22）的圆环状的绕组导体（21）、在半径方向上从开口部延伸而使绕组导体的一方的端部和另一方的端部分离的狭缝（23)、在绕组导体的上表面（21A）形成的半径方向的台阶（25）。绕组导体的上表面具有台阶被以包围开口部的方式设置成俯视时为圆弧状的台阶形成区域（28）、未设置台阶的台阶非形成区域（29），台阶非形成区域包括与狭缝相邻的狭缝附近区域（27A）。台阶形成区域是与台阶非形成区域相比从狭缝离开的区域。台阶设置于原料棒的直体部的外周端（2e）的附近，被比外周端靠半径方向的内侧地设置。
感应加热绕组使用制造装置方法

[发明专利]硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置-CN201980015951.7有效
发明人：杉村涉;横山龙介;藤原俊幸;小野敏昭 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅熔液的对流模式推测方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液，使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体，施加强度0.2T以上的水平磁场的工序；在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前，测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度，以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度，推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。
硅熔液对流模式推测方法单晶硅浓度制造装置

[发明专利]单晶硅的氧浓度推断方法及单晶硅的制造方法-CN201980015966.3有效
发明人：松隈伸;高桥和义;关敏纪;金大基;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。
单晶硅浓度推断方法制造

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置-CN201980015967.8有效
发明人： 横山龙介;坂本英城;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种单晶硅的制造方法，使不活泼气体在腔室内流过，并且对石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，在所述单晶硅的制造方法中实施：在热屏蔽体的下端部及石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的不活泼气体流中，形成相对于包含提拉装置的晶体提拉轴以及水平磁场的施加方向的平面为非面对称，并且相对于晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序(S1)；直到石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序(S2)；以及在硅原料完全熔化之后，施加水平磁场而开始提拉单晶硅的工序(S3)。
单晶硅制造方法装置

[发明专利]硅熔液的对流图案控制方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置-CN201980015987.5有效
发明人：坂本英城;杉村涉;横山龙介;松岛直辉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种对流图案控制方法，其具备使用加热部（17）加热石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）的工序以及对旋转中的石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）施加水平磁场的工序，在加热硅熔液（9）的工序中，使用两侧的加热能力不同的加热部（17）进行加热，所述两侧在从铅垂上方观察石英坩埚（3A）时，夹住通过石英坩埚（3A）的中心轴（3C）且与水平磁场中心的磁力线（14C）平行的假想线（9C），在施加水平磁场的工序中，通过施加0.2T以上的水平磁场，将与硅熔液（9）内的水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向固定为一方向。
硅熔液对流图案控制方法单晶硅制造装置

[发明专利]硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法-CN201980015952.1有效
发明人： 横山龙介;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备如下工序：获取在无磁场状态下旋转的石英坩埚内的硅熔液表面上的与石英坩埚的旋转中心不重叠的第1测量点的温度；确认第1测量点的温度呈现周期性变化；及在第1测量点的温度变化成为规定的状态的时机，将施加于硅熔液的水平磁场的强度设为0.01T，然后提高至0.2T以上，由此将硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流的方向固定为一方向。
硅熔液对流模式控制方法单晶硅制造

[发明专利]原料供给方法及单晶硅的制造方法-CN201880086875.4有效
发明人：川上垒;横山龙介;金原崇浩 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种原料供给方法，其具备：固化工序，使硅熔液的表面固化；投入工序，将固体原料投入到固化工序中所形成的固化部分；及融解工序，熔解固化部分及固体原料，投入工序在对硅熔液施加超过0T且0.05T以下的横磁场的状态下投入固体原料。
原料供给方法单晶硅制造

[发明专利]单晶硅的培育方法及单晶硅的提拉装置-CN202080062476.1在审
发明人：深津宣人;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于提拉法的单晶硅的培育方法，其具有：提拉工序，一边使单晶硅(S)旋转一边进行提拉；及掺杂剂投下工序，在单晶硅(S)的直体部的提拉过程中向硅熔液的液面(MA)上投下粒状掺杂剂，在掺杂剂投下工序中，将粒状掺杂剂的投下位置设定于在硅熔液的液面(MA)上远离直体部的流动占主导的区域上。
单晶硅培育方法装置

[发明专利]硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法-CN201980015950.2有效
发明人：松岛直辉;横山龙介;坂本英城;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离10mm以上的位置的方式施加水平磁场，固定硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向。
硅熔液对流模式控制方法单晶硅制造

[发明专利]感应加热线圈及使用了该感应加热线圈的单晶制造装置-CN202080049110.0在审
发明人：松岛直辉;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在不变更形状的情况下调整熔区及原料棒的温度分布，由此，使单晶的电阻率的面内分布尽可能地均匀。感应加热线圈（13）具备：线圈导体（21），由大致圆环状的导体板构成；一对端子电极（22、22），分别设置于在线圈导体的周向上相邻的线圈导体的一端以及及另一端。线圈导体（21）具有：开口部（23），形成于中心部；狭缝（24），从开口部（23）沿径向延伸而将一对端子电极的连接位置在周向上分断，线圈导体（21）的至少下表面（13b）被区划为多个区域，各区域的辐射率不同。
感应加热线圈使用制造装置

[发明专利]导热系数估计方法、导热系数估计装置、半导体晶体制品的制造方法、导热系数运算装置、导热系数运算程序以及导热系数运算方法-CN201980078556.3在审
发明人： 横山龙介;藤原俊幸;樋口雄介;宇治原彻 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01N25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
导热系数估计方法装置半导体晶体制品制造运算程序以及

[发明专利]单晶硅的制造方法及装置-CN201780032194.5有效
发明人：杉村涉;横山龙介;林三照 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在通过MCZ法进行的单晶硅的制造中，将晶圆面内的氧浓度的不均匀抑制为较低。解决方案为：通过一边对石英坩埚(11)内的硅熔液(2)施加磁场，一边从硅熔液(2)提拉单晶硅(3)的切克劳斯基法来进行的单晶硅的制造方法，其中，在单晶硅(3)的提拉工序中连续地测量硅熔液(2)的表面温度，并根据表面温度的频率分析结果改变晶体培育条件。
单晶硅制造方法装置

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅-CN201680061735.2有效
发明人： 横山龙介;藤原俊幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。
单晶硅制造方法

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