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[实用新型]一种复投器用连接组件及复投器-CN202320374927.6有效
发明人： 岳彩广;刘文斌;马伟;刘佳;武志军;谷守伟 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种复投器用连接组件及复投器，涉及太阳能直拉单晶硅制造技术领域，以解决目前的复投器钼螺栓表面有起皮的现象，且钼螺栓在复投过程中存在压料及下料快与原料接触、携带杂质，影响单晶硅的寿命的问题。此复投器用连接组件包括第一主体、第二主体和防护结构，第一主体上设置连接部，第一主体通过连接部与钼杆连接；第二主体上设置第一连接结构，第二主体与第一主体垂直设置，复投伞套设于第一主体上，第二主体连接于第一主体的底部，用于止挡复投伞；防护结构上设置容置结构，容置结构内设置有与第一连接结构配合连接的第二连接结构，本实用新型的有益效果是防止第二主体与原料接触，改善单晶品质，提高单晶寿命。
一种器用连接组件复投器

[实用新型]一种改善直拉单晶炉副室的定位装置-CN202320353143.5有效
发明人： 岳彩广;武志军;谷守伟;刘佳;刘文斌;康晓斌 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善直拉单晶炉副室的定位装置，包括：导向头、第一连接部、第二连接部和导向部，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部依次连接，所述导向头、所述第一连接部、所述导向部和所述第二连接部的外部均包覆有渗碳层。本实用新型的有益效果是通过在定位销的基础上，在其外部包覆有渗碳层，该材质表面耐磨损，不宜掉落，防止了不锈钢材质的铁屑掉落单晶炉内污染单晶硅生长环境，同时降低了热场清理维修成本以及减少了成晶过程中杂质污染的可能性；同时结构简单，维修方便，加工成本低。
一种改善直拉单晶炉副室定位装置

[实用新型]一种单晶炉热场降功耗防护装置-CN202223503052.X有效
发明人：卢瑶;岳彩广;高瑞军;武志军;谷守伟 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉热场降功耗防护装置，包括防护套筒，套设在保温筒石墨毡外部，所述防护套筒上设有拉手，用于所述保温筒的搬运。本实用新型的有益效果是增强了保温筒的保温效果，减少了热量损失，降低了能量消耗，提高了单晶的整棒率、一次成晶率，提高了产量，结构简单，可通过自动化机械臂提拉拉手，对保温筒实现机械拆卸，省时省力。
一种单晶炉热场降功耗防护装置

[发明专利]一种引晶工艺改善的方法-CN202210759157.7在审
发明人：康晓斌;武志军;韩凯;岳彩广;卢瑶 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶工艺改善的方法，包括，在引晶之前，计算含有位错的细晶的标准长度；根据细晶的标准长度计算实际细晶长度；进行引晶：根据实际细晶长度进行引晶。本发明的有益效果是通过计算，缩短实际引晶长度，使得引晶长度更为合理，引晶时间更短，有效的消除位错，节省引晶时间，提高引晶效率。
一种工艺改善方法

[发明专利]一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾工艺-CN202211473624.6在审
发明人：韩凯;谷守伟;武志军;岳彩广;卢瑶;关云生 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种降低单晶硅棒裂纹位错的收尾工艺，包括S1:瞬时提高加热功率，瞬时降低拉速至第一拉速，再以第一加速度降低所述第一拉速至第二拉速，晶转和埚转为等径段的晶转和埚转，并保持不变为第一晶转和第一埚转，单晶直径逐渐缩小；S2:所述第二拉速以第二加速度提升至第三拉速，所述第一晶转和第一埚转以第三加速度提升至第二晶转和第二埚转，所述单晶直径继续缩小；S3:所述第三拉速以所述第二加速度提升至第四拉速，所述第二晶转和第二埚转以第四加速度提升至第三晶转和第三埚转，收尾结束。本发明的有益效果是有效的减少了单晶的断棱，缩短了收尾时间，对单晶的位错和裂纹进行有效的控制，提高了单晶产品的合格率。
一种降低单晶硅裂纹收尾工艺

[实用新型]一种直拉单晶热场结构-CN202122381533.7有效
发明人：武志军;谷守伟;韩凯;岳彩广;徐小龙 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶热场结构，包括：在导流筒和石英坩埚外侧配设有保温机构；所述保温机构靠近所述导流筒和所述石英坩埚的内侧面均设有强化层；所述保温机构的外侧面均设有固化层；在拉制单晶时，所述强化层和所述固化层使所述保温机构与所述导流筒和所述石英坩埚的外壁面形成一下端开口的封闭腔，进入所述导流筒内的惰性气体沿所述导流筒内壁再经所述封闭腔并从所述保温机构的下端开口流出。本实用新型一种直拉单晶热场结构，可提高保温效果，降低功耗流失，避免热场被氩气和挥发气体腐蚀，使整个结构形成为一体，使热场温度稳定且变化幅度较小，保证热场温度的阶梯性和一致性，提高硅棒的成晶率。
一种直拉单晶热场结构

[发明专利]一种P型合金制备工艺-CN201510904708.4在审
发明人：孙毅;王林;王淼;陈建梅;岳彩广;李豹;宋都明 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型合金制备工艺。其步骤：先将电子级原料装在石英埚内，再添加少量硼粉；控制炉压小于15mtorr，抽真空；将功率升至70kw，原料充分溶解；将功率下降至45kw，持续30分钟；将石英埚位上升至0埚位；氩气流量为60slpm，炉压为17torr；开启石英锅埚转，将石英锅内的硼元素搅拌均匀；将功率匀速降至0kw；停火焖至4小时；拆炉时取出焖埚料，用腐蚀液对取出的焖埚料表面进行腐蚀，腐蚀后的焖埚料即为制备出的P型合金。本工艺制备周期较短，两天即可完成，而常规合金的制备周期需要至少一周时间。采用本工艺制备的合金头部电阻率偏差较小，与控制目标偏差仅为2%。
一种合金制备工艺

[发明专利]一种可控制电阻率的新型直拉硅单晶掺杂方法-CN201510679222.5在审
发明人：张少飞;徐荣清;隋佳琦;由佰玲;岳彩广;孙毅;周超 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种可控制电阻率的新型直拉硅单晶掺杂方法，包括稳温、降温、拉制容器、放置掺杂剂、熔化、稳温等步骤。本发明的特点是：当直拉法拉制单晶，需要进行电阻率调节时，采用籽晶配合原有材料制作成简易且不引入杂质的新的掺杂工具进行掺杂，既能避免掺杂工具的沾污，又能节省材料或设备，并且掺杂完成后不用取出掺杂工具，节约时间，降低拉晶成本，除此以外，通过该方法掺杂的硅单晶电阻率可控，且成品硅单晶合格率较高。
一种控制电阻率新型直拉硅单晶掺杂方法

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