[发明专利]具有至少一个电容器的集成电路装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98121381.2 申请日: 1998-10-20
公开(公告)号: CN1151557C 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: H·克罗瑟;V·勒曼;W·霍恩莱恩;H·雷辛格尔 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良;叶恺东
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 电容器安置在第一基片上,并且带有接点的电路装置的一部分安置在第二基片上。第一基片与第二基片连接,在此,接点紧靠着电容器。基本上可不加校准地进行第一基片与第二基片连接,如果各部分电容器分布在第一基片上,并且接点的接触面如此大,彼此在连接各基片时,接点都紧靠在各部分电容器的至少一个电容器上,于是此部分电容器规定此电容器。此电容器可包含多个部分电容器。此装置尤其是一种DRAM单元装置。
搜索关键词: 具有 至少 一个 电容器 集成电路 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有至少一个电容器的集成电路装置,其特征在于,具有一个第一基片(1)和一个第二基片(2),至少两个分电容器是布置在第一基片(1)的至少一个靠在第一基片(1)一个表面(01)上的区域中的,至少一个接点是布置在第二基片(2)的一个表面(02)的范围中的,平行于第一基片(1)表面(01)的,接点(K)的接点面(KF)的一个截面是以至少一个数量级大于各分电容器之间的距离,所述接点面(KF)实质上不对准地界靠在各分电容器中的至少一个上,由分电容器中的,界靠在所述接点面(KF)上的那些分电容器形成电容器。
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