[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98120148.2 | 申请日： | 1998-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1154169C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 安藤真照 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，其中用于在制造区域内形成布线图形的第一光刻胶图形和用于形成诸如对准标记的附属图形的第二光刻胶图形之间的高度差或台阶大大减小了。第二光刻胶图形形成在突起部分上。该突起部分是由故意留下的，由对应于第一和第二层间绝缘膜的绝缘层和导电层、形成在制造区域内的布线图形中的存储电极和平板电极，以及常规器件的第二上布线和接地膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底和形成在衬底上的用于形成附属图形的突起部分，所述附属图形包括上布线台阶的对准标记，所述突起部分由对应于常规接地膜的绝缘层和导电层组成，并且绝缘层和导电层对应于衬底上的制造区域的图形部分中的导电层和绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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