[发明专利]具有静电放电保护电路的半导体器件无效
| 申请号： | 97113841.9 | 申请日： | 1997-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1064178C | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金大永 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有一ＥＳＤ电路的半导体器件，包含一定义在该半导体衬底上的有源区域，该有源区域具有多个均匀地间隔而从其上下端的至少一端延伸出的突出部，至少一定义在该半导体衬底上且在该有源区域的每个突出部中的接点区域，以及多个均匀地间隔而形成于该半导体衬底上的栅极，其位于该有源区域的除了该突出部之外的部分中而分别地以同方向延伸而出，每个栅极被安排在相邻的突出部之间而与该突出部间隔开来。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．一种具有静电放电保护电路的半导体器件，其特征在于包括：一半导体衬底；一定义在该半导体衬底上的有源区域，该有源区域具有多个均匀地间隔而从其上下端的至少一端延伸出的突出部；至少一定义在该半导体衬底上且在该有源区域的每个突出部中的接点区域；以及多个均匀地间隔而形成于该半导体衬底上的栅极，其位于该有源区域的除了该突出部之外的部分中而分别地以同方向地延伸而出，每个栅极被安排在相邻的突出部之间而与该突出部间隔开来。
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