[发明专利]带差分电路的半导体集成电路无效
| 申请号： | 96117299.1 | 申请日： | 1996-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1064196C | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小烟弘之 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成差分电路的元件对的，作为绝缘层分立元件的电容器Ｃ１和Ｃ２有公共独立Ｎ阱，与连接到电源ＶＤＤ的Ｎ阱无关。由于独立Ｎ阱是浮动态，即使因ＣＭＯＳ等开关时产生高电平尖峰噪声叠加到电源ＶＤＤ上，高电平尖峰哚声也不直接输入独立Ｎ阱，使独立Ｎ阱的偏置电位波动小而有节制。因此，使因独立Ｎ中阻抗电阻引起的电位差明显减小。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 带差分 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，其特征在于，它包括：一个衬底，具有第一阱和第二阱，彼此独立形成，两阱的导电率相同，都是预定的；一个第一输入端；一个第二输入端；一个输出端；一个差动放大器，与所述输出端连接，具有第一输入节点和第二输入节点，所述差动放大器的一个元件在所述第一阱中形成；一个第一电容器，连接在所述第一输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成；和一个第二电容器，连接在所述第二输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成。
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