[发明专利]带差分电路的半导体集成电路无效
| 申请号： | 96117299.1 | 申请日： | 1996-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1064196C | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小烟弘之 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带差分 电路 半导体 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1．一种半导体器件，其特征在于，它包括：
一个衬底，具有第一阱和第二阱，彼此独立形成，两阱的导电率相同，都是预定的；
一个第一输入端；
一个第二输入端；
一个输出端；
一个差动放大器，与所述输出端连接，具有第一输入节点和第二输入节点，所述差动放大器的一个元件在所述第一阱中形成；
一个第一电容器，连接在所述第一输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成；和
一个第二电容器，连接在所述第二输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成。
2．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱的阻抗低于所述第一阱。
3．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述元件的负载元件在所述第一阱中形成。
4．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还有一个偏压电路与所述第一和第二节点连接，供分别给所述第一和第二节点提供预定的偏压。
5．如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述偏压电路的一个传输门在所述第一阱中形成。
6．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预定电导率的低阻区与所述第二阱连接。
7．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还有一个低阻布线在多个部分与所述第二阱连接。
8．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还有一个电阻元件连接在所述第二阱与所述电源之间。
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