[发明专利]用于形成半导体装置的精细图形的方法无效
| 申请号： | 96103946.9 | 申请日： | 1996-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1146071A | 公开（公告）日： | 1997-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李重泫;文诚庸;韩宇声;孙昌镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/28;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体 装置 精细 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用光学方式形成半导体装置的精细图形的方法，在这种方法中，在掩模上把低于分辨率限度的虚设图形形成到主图形上，以改善分辨率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
