[发明专利]隔离栅半导体器件及其制造方法

摘要

在半导体衬底(11)中制作一个掺杂阱(13)，并在此阱中制作一个漏延伸区(25)。在掺杂阱上制作一个氧化层(26)，其的厚度至少为400。一个带有在氧化物(26)减薄部分上的栅短路部位(32)和在氧化物(26)未经减薄部分上的栅延伸部位(58)的栅结构(61)。氧化物(26)的减薄部分形成场效应晶体管(10)的栅氧化层，而未经减薄的部分降低了场效应晶体管(10)栅短路部分(32)的电容。

主权项

1.一种制造隔离栅半导体器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一个第一导电类型的带有一个主表面(12)的半导体材料(13)；制作一个从主表面(12)延伸进入半导体材料(13)的第一掺杂层(25)；在第一介电材料层(26)的第一部分上制作一个第一栅结构(61)的第一部分(32)，第一栅结构(61)的第一部分(32)带有第一(36)和第二(37)侧面并且用第一介电材料层(26)的第一部分与主表面(12)分隔开来；用第一导电类型的杂质，至少对邻接于第一栅结构(61)的第一部分(32)的第一侧面(36)的部分半导体材料(13)进行掺杂；横向清除第一介电材料层(26)第一部分的一小部分，以形成一个第一空腔(35)，第一空腔(35)从第一侧面(36)开始延伸于第一栅结构(61)的第一部分(32)与主表面(12)之间。至少邻接第一栅结构(61)的第一部分(32)制作一个第二介电材料层(26′)；制作一个第一栅结构(61)的第二部分(58)，此第一栅结构(61)的第二部分(58)，通过填充了一部分第一空腔(35)的第二介电材料层(26’)，与第一栅结构(61)的第一侧面(36)分隔开来；对半导体材料(13)中与第一栅结构(61)第一部分(32)的第二侧面(37)邻接的部分(64)，以及半导体材料(13)中与第一栅结构(61)第二部分(58)的第二侧面邻接的部分(63)进行掺杂；以及对部分第一栅结构(61)进行掺杂。