[发明专利]隔离栅半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造隔离栅半导体器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一个第一导电类型的带有一个主表面(12)的半导体材料(13)；

制作一个从主表面(12)延伸进入半导体材料(13)的第一掺杂层(25)；

在第一介电材料层(26)的第一部分上制作一个第一栅结构(61)的第一部分(32)，第一栅结构(61)的第一部分(32)带有第一(36)和第二(37)侧面并且用第一介电材料层(26)的第一部分与主表面(12)分隔开来；

用第一导电类型的杂质，至少对邻接于第一栅结构(61)的第一部分(32)的第一侧面(36)的部分半导体材料(13)进行掺杂；

横向清除第一介电材料层(26)第一部分的一小部分，以形成一个第一空腔(35)，第一空腔(35)从第一侧面(36)开始延伸于第一栅结构(61)的第一部分(32)与主表面(12)之间。

至少邻接第一栅结构(61)的第一部分(32)制作一个第二介电材料层(26′)；

制作一个第一栅结构(61)的第二部分(58)，此第一栅结构(61)的第二部分(58)，通过填充了一部分第一空腔(35)的第二介电材料层(26’)，与第一栅结构(61)的第一侧面(36)分隔开来；

对半导体材料(13)中与第一栅结构(61)第一部分(32)的第二侧面(37)邻接的部分(64)，以及半导体材料(13)中与第一栅结构(61)第二部分(58)的第二侧面邻接的部分(63)进行掺杂；以及

对部分第一栅结构(61)进行掺杂。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，横向清除小部分第一介电材料层(26)的第一部分的步骤包括暴露第一栅结构(61)第一部分(32)的第一侧面(36)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在部分半导体材料(13)中制作一个第二导电类型的掺杂陷(14)；

制作一个从主表面(12)延伸进入掺杂阱(14)的第二掺杂层(30)；

在第一介电材料层的第二部分上制作一个第二栅结构(62)的第一部分(33)，第二栅结构(62)的第一部分(33)带有第一(38)和第二(39)侧面且用第一介电材料层(26)的第二部分与主表面(12)分隔开来；

用第一导电类型杂质至少对邻接于第一栅结构第一部分(33)的第一侧面(38)的一部分掺杂阱(14)进行掺杂；

横向清除小部分第一介电材料层(26)的第二部分以形成第二空腔(35′)，此第二空腔(35′)从第一侧面(38)开始延伸于第二栅结构(62)第一部分(33)与主表面(12)之间；

制作一个至少邻接于第二栅结构(62)第一部分(33)的第三介电材料层；

制作一个第二栅结构(62)的第二部分(59)，此第二栅结构(62)的第二部分(59)用填充部分第二空腔(35′)的第三介电材料层与第二栅结构(62)的第一侧面(38)分隔开来；

对邻接于第二栅结构(62)第一部分(33)第二侧面(39)的部分掺杂阱(14)和邻接于第二栅结构(62)第二部分(59)第二侧面的部分掺杂阱(14)进行掺杂；以及

对部分第二栅结构(62)进行掺杂。