[发明专利]半导体衬底的制备方法无效
| 申请号： | 95194628.5 | 申请日： | 1995-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1092839C | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | P·C·斯佩登斯;M·A·沙尔特;M·J·哈劳;D·J·纽森 | 申请（专利权）人： | 英国电讯公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,萧掬昌 |
| 地址： | 英国英*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磷化铟半导体衬底(10)是为随后生长外延层(12到16)生长而制备的，以形成一个半导体器件(5)。在制备中，首先对衬底(10)进行退火来促进来自衬底扩散的杂质原子的表面堆积趋势，并有助于衬底表面杂质原子的消除。然后对衬底(10)进行表面腐蚀来进一步消除杂质，并为随后的外延层生长提供一个干净、平整的表面。制备的最后阶段包括在衬底上生长一个半绝缘缓冲层(11)将衬底与器件外延层(12到16)隔离开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制备半导体衬底，以便随后在其上生长半导体层的方法，所属半导体衬底为III-V化合物，该方法包括以下步骤：(a)将所述衬底置于反应室中；(b)将一种气体介质引入反应室；(c)在气体介质存在下对衬底退火，以降低衬底中杂质原子的浓度；并且之后，(d)当衬底在反应室中时，在衬底上生长一个或多个缓冲层，该缓冲层或至少一个缓冲层包含掺金属原子的半导体材料，以提供载流子陷阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
