[发明专利]陶瓷片型半导体二极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95118338.9 申请日: 1995-11-16
公开(公告)号: CN1044755C 公开(公告)日: 1999-08-18
发明(设计)人: 戴超智 申请(专利权)人: 智威科技股份有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 文琦
地址: 台湾省台北县新店*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种陶瓷片型半导体二极管及制造方法,是在预制的陶瓷板状壳体上设有一个半导体二极管芯片的安装座,该芯片藉玻璃构接在安装座上,芯片的两个电极面须作电气回路连接的部位应不被玻璃覆盖,在芯片的两个电极面分别设有一个导电件,并延伸至壳体两端,形成外接端子,在芯片部位上设有玻璃绝缘覆盖层,由此制成外形为片形的半导体二极管。该器件外型无突出端子,内部结构无空洞,机械强度高,散热性、耐环境性能优,且成本低廉。
搜索关键词: 陶瓷 半导体 二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种陶瓷型半导体二极管,其外接端子以外的导电件和芯片均外敷有绝缘玻璃复盖层,其特征在于:在陶瓷材料板状壳体上设有一个半导体二极管芯片的安装座,在芯片与安装座之间填装有玻璃膏剂经烧形成的玻璃连接件,该玻璃连接件应不复盖芯片中预备制作导电件的连接部位,芯片的两个电极面分别设有一个延伸至壳体两端的导电件,作为其外接端子。
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