[发明专利]一种用于半导体器件的表面耐压区无效
| 申请号： | 95108317.1 | 申请日： | 1995-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1040814C | 公开（公告）日： | 1998-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈星弼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/86 | 分类号： | H01L29/86;H01L27/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件的表面耐压区，它位于第一种导电类型的衬底（１）之上形成的第二种导电类型（２）的中心部分周围，该耐压区的平均有效第二种导电类型的杂质密度随离开所述第二种导电类型（２）的中心部分的距离的增加而逐渐或阶梯式减少。此种表面耐压区可使ｎ+-P-（或P+或n-）结的击穿电压达到用同样衬底所做成的平行平面单边突变结的击穿电压的９０％，利用本发明可制作反应速度快、导通电压低、电流密度大的高压纵向器件及高压横向器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 表面 耐压 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的表面耐压区，所述半导体器件是以第一种导电类型的衬底及其上形成的第二种导电类型重掺杂区为基础的，其特征在于：当所述表面耐压区在所述衬底和所述重掺杂区之间所加电压接近反向击穿电压而全部耗尽时，该表面耐压区中第二种导电类型的电离杂质的有效平均密度随着离开重掺杂区中心距离的增加而逐渐或阶梯式地下降，这里，平均密度系指在一个表面横向尺寸远小于WPP而又大于该表面耐压区厚度的面积内有效的第二种导电类型杂质总数除以该面积所得的值，其中，WPP代表由该衬底形成的单边突变平行平面结在其击穿电压下的耗尽层厚度。
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