[发明专利]一种用于半导体器件的表面耐压区

权利要求书

1.一种用于半导体器件的表面耐压区，所述半导体器件是以第一种导电类型的衬底及其上形成的第二种导电类型重掺杂区为基础的，其特征在于：

当所述表面耐压区在所述衬底和所述重掺杂区之间所加电压接近反向击穿电压而全部耗尽时，该表面耐压区中第二种导电类型的电离杂质的有效平均密度随着离开重掺杂区中心距离的增加而逐渐或阶梯式地下降，这里，平均密度系指在一个表面横向尺寸远小于W_PP而又大于该表面耐压区厚度的面积内有效的第二种导电类型杂质总数除以该面积所得的值，其中，W_PP代表由该衬底形成的单边突变平行平面结在其击穿电压下的耗尽层厚度。

2.如权利要求1所述的表面耐压区，其特征在于：所述表面耐压区中的第二种导电类型杂质随离开所述第二种导电类型区的中心部分的距离的增加而减少的平均密度是通过既用第二种导电类型的杂质进行掺杂，又用第一导电类型的杂质进行补偿的方法而得到，其中，所述表面耐压区与衬底相邻的区域为第二种杂质类型区。

3.如权利要求2所述的表面耐压区，其特征在于：所述表面耐压区中第二种导电类型区的杂质密度为常数，而其上的第一种导电类型杂质在两个或两个以上连续的区域内随着离开所述第二种导电类型区的中心部分的距离的增加而阶梯式增加。

4.如权利要求3所述的表面耐压区，其特征在于：所述两个或两个以上连续的第一种导电类型杂质区域中至少有一个是由互相分隔开的小区构成的。

5.如权利要求2所述的表面耐压区，其特征在于：所述衬偿杂质的第一种导电类型杂质是掺在所述表面耐压区上层的沿表面水平方向上的锯齿形区域内。

6.如权利要求2所述的表面耐压区，其特征在于：至少有两层以上的、具有不同长度的所述补偿杂质的第一种导电类型层沿垂直方向插入在所述第二种导电类型区之内。

7.如权利要求1-6所述的表面耐压区，其特征在于：在所述第一种导电类型的衬底与所述第二种导电类型的表面耐压区之间设置有一个薄的绝缘层。

8.如权利要求1所述的表面耐压区，其特征在于：包括两个或两个以上具有同样的第二种导电类型杂质密度的掺杂小区，且这些区互相隔开。

9.一种高压半导体器件，该器件包括第一种导电类型的衬底以及以其上形成的第二种导电类型重掺杂压为基础的表面耐压区，其特征在于：

当所述表面耐压区在所述衬底和所述重掺杂区之间所加电压接近反向击穿电压而全部耗尽时，该表面耐压区中第二种导电类型的电离杂质的有效平均密度随着离开重掺杂区中心距离的增加而逐渐或阶梯式地下降，这里，平均密度系指在一个表面横向尺寸远小于W_PP而又大于该表面耐压区厚度的面积内有效的第二种导电类型杂质总数除以该面积所得的值，其中，W_PP代表由该衬底形成的单边突变平行平面结在其击穿电压下的耗尽层厚度。

10.一种如权利要求9的高压半导体器件，其特征在于：所述表面耐压区中的第二种导电类型杂质随离开所述第二种导电类型区的中心部分的距离的增加而减少的平均密度是通过既用第二种导电类型的杂质进行掺杂，又用第一导电类型的杂质进行补偿的方法而得到，其中，所述表面耐压区与衬底相邻的区域为第二种杂质类型区。

11.一种如权利要求10的高压半导体器件，其特征在于：所述表面耐压区中第二种导电类型区的杂质密度为常数，而其上的第一种导电类型杂质在两个或两个以上连续的区域内随着离开所述第二种导电类型区的中心部分的距离的增加而阶梯式增加。

12.一种如权利要求11的高压半导体器件，其特征在于：所述两个或两个以上连续的第一种导电类型杂质区域中至少有一个是由互相分隔开的小区构成的。

13.一种如权利要求10的高压半导体器件，其特征在于：所述衬偿杂质的第一种导电类型杂质是掺在所述表面耐压区上层的沿表面水平方向上的锯齿形区域内。

14.一种如权利要求10的高压半导体器件，其特征在于：至少有两层以上的、具有不同长度的所述补偿杂质的第一种导电类型层沿垂直方向插入在所述第二种导电类型区之内。

15.一种如权利要求9的高压半导体器件，其特征在于：包括两个或两个以上具有同样的第二种导电类型杂质密度的掺杂小区，且这些区互相隔开。