[发明专利]半导体器件以及使用该半导体器件的信号处理系统无效
| 申请号: | 95102596.1 | 申请日: | 1995-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN1055567C | 公开(公告)日: | 2000-08-16 |
| 发明(设计)人: | 井上俊辅;宫脇守;光地哲伸 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/10 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在一个具有分别连到多个输入端的电容器装置且电容的其余引线端共同连到一个读出放大器的半导体器件中,通过利用在一个绝缘表面上的一个半导体层来形成该电容器和该读出放大器,从而用一个小的电路规模实现了对具有从多个输入端提供的较大位数的信号的高速、高精度处理。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 以及 使用 信号 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种电路结构的半导体器件,它包括:多个输入端;多个电容器装置,包括多个具有两个互相相对的电极的电容器元件,其中的一个电极与所述输入端之一电连接;以及一个具有一输入部分的读出放大器,所述电容器装置的其余引线端在电学上共同与所述读出放大器的输入部分相连接;其特征在于:所述电容器元件有一个设置在一绝缘表面上的电极和另一夹着一绝缘层而设置在所述一个电极之上的电极,以及所述读出放大器具有一形成在一个绝缘表面上的半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





