[发明专利]半导体器件以及使用该半导体器件的信号处理系统

权利要求书

1.一种电路结构的半导体器件，它包括：

多个输入端；

多个电容器装置，包括多个具有两个互相相对的电极的电容器元件，其中的一个电极与所述输入端之一电连接；以及

一个具有一输入部分的读出放大器，所述电容器装置的其余引线端在电学上共同与所述读出放大器的输入部分相连接；

其特征在于：所述电容器元件有一个设置在一绝缘表面上的电极和另一夹着一绝缘层而设置在所述一个电极之上的电极，以及

所述读出放大器具有一形成在一个绝缘表面上的半导体膜。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：一个开关元件与所述电容器元件的两个相对设置的电极中的至少一个相连。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述电容器装置是通过将所述多个具有相同结构的电容器元件相互并联而形成的。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：配置多个所述电路结构，将所述多个电路结构中至少一个的所述读出放大器的输出或反相输出输入到其他电路结构中至少一个中去。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：当用C表示所述电容器元件中的最小电容值时，上述共同连接的电容器元件的电容值精确地或基本上为该最小值的一个奇数倍。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述开关元件包括一场效应晶体管。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述场效应晶体管的一层半导体膜以台面形状与一个相邻的场效应晶体管的半导体膜隔离开来。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：各所述电容器元件的一个电极利用在所述绝缘表面上形成的一个半导体膜而形成，而另一电极利用与所述场效应晶体管的栅电极同时形成的导电层而形成。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述场效应器件管设置在第二种导电类型的源区和漏区之上和之间，并具有与第二种导电类型相反的第一种导电类型的阱区，以及所述阱区和一个电极相连。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：一个栅电极形成在所述源区和漏区之间，当形成所述场效应晶体管的沟道时，所述源区和漏区之间的阱区是耗尽的。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述被台面隔离的半导体层的边缘具有一个相对于绝缘表面至少为60°的角。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述电容器元件具有存储的MOS结构，该结构利用一个在绝缘表面上处于存储态的半导体层的表面。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述另一电极与一输入端相连。

14.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述一个电极与一输入端相连接。

15.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：一个与阱层相连的第一导电类型的杂质层和一个形成在所述场效应晶体管的源区的第二导电类型的杂质层互相靠近或基本上彼此相邻地形成，且一个引线层与所述第一和第二导电类型的杂质层共同相连。

16.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体膜用一种能把导电类型控制在至少10¹⁸cm^-3的n或p型杂质来掺杂。

17.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体膜是以各场效应晶体管互相隔开的方式形成的。

18.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述场效应晶体管设置在源区和漏区之上和之间，并具有一个与第二导电类型相反的第一导电类型的阱区。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于还包括：围绕着所述源区和漏区的第一导电类型的一个区域，该区域的杂质浓度低于所述阱区杂质浓度。

20.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于：在所述半导体膜的外侧而不是所述源区和漏区的外侧还包括一个第一导电类型的区域，其杂质浓度低于所述阱区的杂质浓度。