[发明专利]制造半导体结构的方法无效
| 申请号： | 95101855.8 | 申请日： | 1995-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1080930C | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 埃道德·Ｄ·德弗里萨特;约翰·Ｗ·斯蒂尔;Ｎ·戴维·西奥多 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半导体结构的一种优选的方法，包括改变一种外延基区双极晶体管（10）的基区层（17、21）中多晶晶界（38）的方向和使其位置最佳。通过淀积将形成较低的基区部分的基区层（17）后对半导体结构进行退火，可以实现晶界（38）的改变。改变晶界（38）对降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）有明显作用。降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）能显著地改善器件的性能。$#! | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构(10)的方法，包括下列步骤：设置底层结构(16)，包括外延区(11)和相邻的隔离区(13)，该外延区与隔离区在界面(50)处相接；以及在底层结构(16)上面形成半导体层(17)，半导体层(17)包括起源于界面(50)处的晶界(38)，该晶界(38)有一个取向，该方法的特征是：通过退火该晶界来改变晶界方向而不移动晶界起点，从而改变晶界的取向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司，未经摩托罗拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95101855.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用付载波传播信息的无线电接收机及其方法
- 下一篇：连续挤压设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
