[发明专利]半导体薄膜制造方法以及磁电变换元件的制造方法无效
| 申请号： | 94105493.4 | 申请日： | 1994-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1059756C | 公开（公告）日： | 2000-12-20 |
| 发明（设计）人： | 川崎哲生;是近哲広;北畠真;平尾孝 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体薄膜制造方法包括在氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在０．１～３ｎｍ范围的起始层的工序；在该起始层上在２５０～４３０℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于４３０℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以３７０～４６０℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制造 方法 以及 磁电 变换 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，并由氢原子使表面硅的悬空键终止的工序；在该氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。
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