[发明专利]半导体薄膜制造方法以及磁电变换元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，并由氢原子使表面硅的悬空键终止的工序；在该氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于起始层由铝组成，该起始层形成为0.1～3nm厚，缓冲淀积层在250～430℃温度范围内开始成膜，半导体薄膜则以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度成膜。

3.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于起始层由镓组成，该起始层形成为0.1～2nm厚，缓冲淀积层在250～400℃温度范围内开始成膜，半导体薄膜则以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度成膜。

4.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于起始层由铟组成，该起始层形成为0.1～2nm厚，缓冲淀积层在250～400℃温度范围内开始成膜，半导体薄膜则在370～460℃温度范围内开始成膜。

5.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层由铟与锑组成。

6.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层由Al与铟以及锑组成，铝的组成随膜厚加大而减少。

7.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层由镓与铟以及锑组成。

8.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层的铝或镓与铟之比是连续地或逐级地从起始层之比变化到半导体薄膜之比的。

9.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层在保持形成起始温度的状态下成膜。

10.如权利要求9所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层随成膜厚度的加大一边使锑与铟的蒸发粒子数比增大一边成膜，然后从所述成膜状态以0.5℃/s以上的速度升温到至少温度达370℃。    

11.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层是随膜厚的加大使基板温度升高来成膜的。

12.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于缓冲淀积层随膜厚的加大使基板温度下降到230℃以下成膜，然后从此状态以0.5℃/s以上的速度升温到至少温度达370℃。

13.如权利要求1所述的半导体薄膜制造方法，其特征在于半导体薄膜由磷化铟、砷化铟、铋化铟或锑化镓中至少选一种与锑化铟的混合晶，或锑化铟单体组成。

14.一种磁电变换元件的制造方法，其特征在于应用如权利要求1至13中任一项所述的半导体薄膜制造方法加工半导体薄膜，并在其上加设电极。