[发明专利]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺

摘要

同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

主权项

1.一种双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺，包括下列步骤：形成第一导电类型的第一和第二半导体池，每一所述的池由环绕着的绝缘材料横向绝缘，所述的池确定形成第一类双极型晶体管和MOS晶体管的区域，形成第二导电类型的第三半导体池，所述的第三池由绝缘材料与所述的第一和第二池绝缘，所述的第三池确定在其中形成第二类MOS晶体管的区域，在所述的第一、第二和第三池上形成第一薄绝缘层和第一多晶硅层，在所述的第一池中形成相邻的本征和非本征半导体区，由此形成双极型晶体管的本征和非本征基区，在所述的第一薄绝缘层和所述的第一多晶硅层上制作图形以便在所述的第一池中形成开孔，由此形成双极型晶体管的发射极区，同时，在所述的第二和第三池中形成环形岛，由此形成第一和第二类MOS晶体管的栅极元件，形成覆盖在所述的第一多晶硅层上的第二多晶硅层，以便在所述的第一池中形成对应于发射极导电体的区域，以及在每一所述的第二和第三池中形成对应于栅极导电体的区域，对第二多晶硅层进行掺杂，同时在所述的第三池中形成一对半导体区，以形成MOS晶体管源极和漏极区，驱使掺入到覆盖在所述第一池上的第二多晶硅中的杂质进入所述的本征基区，在所述的非本征基区中形成第二导电类型的半导体区，在所述