[其他]半导体陶瓷的组成无效
| 申请号： | 87106154 | 申请日： | 1987-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN87106154A | 公开（公告）日： | 1988-03-16 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成；能使该电容器呈现有所增加的介电常数、令人满意的频率特性和温度特性以及有所降低的介质损耗。该组成包括SrTiO3基本组分和由CaTiO3、Y和Nb组成的次要组分。该组成还含Mn和SiO2，它们分别能增加电容器的绝缘电阻和扩大(SrO+CaO)/TiO的适用范围。此外，还有一种组成包含SrTiO3基本组分和由CaTiO3、BaTiO3，Y和Nb组成的次要组分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组成 | ||
【主权项】：
1、一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它包括：一个含SrTiO3的基本组分；以及一个含CaTiO3、Y和Nb的次要组分；所说CaTiO3占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基体中。
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