[其他]半导体陶瓷的组成

说明书

本发明涉及半导体陶瓷电容器用的半导体陶瓷的组成，更具体地说，本发明涉及的半导体陶瓷的组成，适用于制造边界绝缘型半导体陶瓷电容器。

用作无源电子电路元件的半导体陶瓷电容器一般分成两类型，即边界层型和表面层型。边界层型半导体陶瓷电容器包括一种边界绝缘型电容器，而表面层型半导体陶瓷电容器包括一种阻挡层型电容器和一种还原再氧化型电容器。

然而，业已发现普通的半导体电容器具有下列缺点：

边界绝缘型半导体电容器的电容量和介质强度相对地有所降低。阻挡层型的频率特性变劣，介质损耗（tanδ）有所增加，介质强度有所降低。还原再氧化型电容器的频率特性变劣，温度特性和介质损耗有所增加。这些缺点的起因，是由于能够提供避免上述缺点的半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组成至今仍未研制出来。

鉴于先有技术的上述缺点而作出了本发明。

因此，本发明的一个目的是提供半导体降瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成，它使该电容器不仅提高介电常数和呈现出满意的频率特性和温度特性，而且也能降低介质损耗。

本发明的另一个目的是要为能够改进电容器的绝缘电阻的半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成。

本发明再有一个目的是要为半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成，这种半导体陶瓷电容器能够易以制造，并呈现上述的优点。

本发明的再一个目的是要为边界绝缘型半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成，它使得这种半导体陶瓷电容器不仅能提高介电常数和呈现出令人满意的频率特性和温度特性，而且也降低介质损耗。

本发明还有另一个目的是要为能改进该电容器的绝缘电阻的边界绝缘型半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成。

本发明又再一个目的是要为能易于制造并能呈现上述优点的边界绝缘型半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成。

本发明还再有一个目的是要为能改进该电容器的绝缘电阻和直流击穿电压的边界绝缘型半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成。

根据本发明，为半导体陶瓷电容器提供了的一种半导体陶瓷的组成。这个组成包括基本组分SrTiO₃和含CaTiO₃、Y和Nb的次要组分。CaTiO₃按组成计算占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基体中。

根据本发明，又提供了半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成，它包括基本组分SrTiO₃和含CaTiO₃、BaTiO₃、Y和Nb的次要组分。构成基本组分的SrTiO₃包括其克分子比值是0.970至1.000比1.000的SrO和TiO₂。构成一部分次要组分的CaTiO₃，其分量相对于代表SrO分量的1.000、0.990、0.980和0.970克分子分别占0.1至20.0、1.0至20.0、5.0至20.0和10.0至20.0。也构成一部分次要组分的BaTiO₃，按组成计算，它占0.05至3.0克分子%。构成其余次要组分的Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至1.0克分子%和0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基体中。

本发明针对半导体陶瓷电容器，特别是一种包括基本组分SrTiO₃和含CaTiO₃、Y和Nb的次要组分的边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的半导体陶瓷的组成。这里使用的术语“次要组分”是指本质组分在数量上少于也是本质的基本组分。构成一部分次要组分的CaTiO₃按组成计算占0.1至2.0克分子%，而构成其余次要分量的Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至0.4克分子%的Y₂O₃和Nb₂O₅基体中。