[其他]半导体陶瓷的组成无效
| 申请号： | 87106154 | 申请日： | 1987-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN87106154A | 公开（公告）日： | 1988-03-16 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组成 | ||
1、一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它包括：
一个含SrTiO3的基本组分；以及
一个含CaTiO3、Y和Nb的次要组分；
所说CaTiO3占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基体中。
2、根据权利要求1中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它还包括Mn，所说的Mn存在于按所说组成计算占0.02至0.2克分子%的MuO基体中。
3、根据权利要求2中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它还包括SiO2，所说SiO2按所说组成计算占0.01至0.1克分子%。
4、根据权利要求1至3中任何一个所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于所说组成经压制和烧结使Bi出现在该组成的晶界。
5、一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它包括：
一个含SrTiO3的基本组分;以及
一个含CaTiO3、BaTiO3、Y和Nb的次要组分;
所说SrTiO3包括0.970至1.000比1.000的克分子比例的SrO和TiO2;
所说CaTiO3相对于代表所说SrO的数量的1.000、0.990、0.980和0.970克分子其数量分别相应为0.1至20.0、1.0至20.0、5.0至20.0和10.0至20.0克分子%;
所说BaTiO3的数量占0.05至3.0克分子%，而所说Y和Nb分别出现在按组成计算占0.1至1.0克分子%和0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基体中。
6、根据权利要求5中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它还包括Mn和SiO2，所说Mn存在于按所说组成计算占0.02至0.20克分子%的MnO基体中，而所说SiO2以按所说组成计算占0.01至0.6克分子%出现。
7、根据权利要求5或6中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于，所说组成经压制和烧结，使Bi出现在该组成的晶界处。
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