[其他]半导体光控变容器无效
| 申请号： | 87103187 | 申请日： | 1987-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN87103187B | 公开（公告）日： | 1988-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朱长纯;刘君华 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01L31/10 |
| 代理公司： | 西安交通大学专利事务所 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体光控变容器，属半导体光电子器件，是一种由光源控制的对光辐射敏感的半导体器件，具MINP四层结构，是以其两端电压为参变量的其两端电容值随光强变化的器件。具有如下各方面用途作为光敏可变电容二极管、变容式光控开关、光电耦合器、光控有源滤波器和光强一频率变换器等。本器件工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光控 容器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光控变容器，该器件至少包括一个集电极〔2〕，一个N型外延层〔4〕，一个P型衬底〔5〕和一个发射极〔6〕，其特征在于，在集电极〔2〕和N型外延层〔4〕之间还设置绝缘层〔3〕，具有MINP四层结构；集电极〔2〕为栅状电极；绝缘层〔3〕上具有增透膜〔1〕，增透膜〔1〕上有集电极〔2〕的引线孔〔7〕；该器件的电容值为光强I和偏置电压Vec的函数。
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