[其他]半导体光控变容器

权利要求书

1、一种半导体光控变容器，该器件至少包括一个集电极〔2〕，一个N型外延层〔4〕，一个P型衬底〔5〕和一个发射极〔6〕，其特征在于，在集电极〔2〕和N型外延层〔4〕之间还设置绝缘层〔3〕，具有MINP四层结构;集电极〔2〕为栅状电极;绝缘层〔3〕上具有增透膜〔1〕;增透膜〔1〕上有集电极〔2〕的引线孔〔7〕;该器件的电容值为光强I和偏置电压Vec的函数。

2、按权利要求1所记述的半导体光控变容器，其特征在于，所说的P型衬底〔5〕为〈100〉晶向、无位错的、电阻率为0.08Ωcm以下的重掺杂的P型单晶硅，厚度为0.36至0.40mm;所说的N型外延层〔4〕为无层错的电阻率为8至10Ωcm的外延层，厚度为8μm;所说的绝缘层〔3〕的厚度为95至105。

3、按权利要求1或2所记述的半导体光控变容器，其特征在于，所说的栅状集电极〔2〕的厚度为3000;所说的增透膜〔1〕的厚度为650至750;所说的发射极〔6〕的厚度为3000;所封装的管帽无顶，可透光。