[发明专利]掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法无效
| 申请号： | 86107824.1 | 申请日： | 1986-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1006508B | 公开（公告）日： | 1990-01-17 |
| 发明（设计）人： | 加藤弥三郎;铃木利彦;伊沢伸幸;神户秀夫;浜崎正治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;C03B31/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元索Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρ，为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 均匀分布 固体 摄像 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产固体摄像器件衬底的方法，其特征包括下列步骤：从非掺杂硅熔体生长一种电阻率高于100欧姆-厘米的P型硅单晶；从所说硅单晶形成一硅圆片，并用中子辐射至所说硅圆片上，以形成电阻率范围在10至100欧姆-厘米的n型硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
