[其他]超大规模集成电路的局部互连方法及其结构无效
| 申请号： | 86103067 | 申请日： | 1986-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN86103067A | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 罗杰·A·纳肯;汤姆士·C·哈罗伟;汤姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷·海特;里查德·A·查普曼;戴维·A·比尔;罗伯特·格罗夫III | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 冯晓明 |
| 地址： | 美国得克萨斯州752*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 局部 互连 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造集成电路的加工方法，本发明的特征在于，这种方法包括下列步骤：(a)提供一衬底；(b)在一预定的图形中提供器件隔离区以便将一壕区限定在预定的部位中；(c)在上述壕区的预定部位制作绝缘栅场效应晶体管；(d)在整个衬底沉积一种主要是由钛组成的金属：(e)在一容有氮气的环境中对上述衬底和上述钛金属加热，以便使上述钛金属与上述钛金属与上述衬底暴露在外的硅部分起反应从而形成硅化钛，上述钛金属的其他部分也与上述氮气环境起反应，从而形成一种在其表面具有大部分的氮化钛的层；以及(f)对上述氮化钛层制作图形以便在预定的图形中提供局部互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
