[其他]超大规模集成电路的局部互连方法及其结构

权利要求书

1、一种用于制造集成电路的加工方法，本发明的特征在于，这种方法包括下列步骤：

(a)提供一衬底；

(b)在一预定的图形中提供器件隔离区以便将一壕区限定在预定的部位中；

(c)在上述壕区的预定部位制作绝缘栅场效应晶体管；

(d)在整个衬底沉积一种主要是由钛组成的金属：

(e)在一容有氮气的环境中对上述衬底和上述钛金属加热，以便使上述钛金属与上述钛金属与上述衬底暴露在外的硅部分起反应从而形成硅化钛，上述钛金属的其他部分也与上述氮气环境起反应，从而形成一种在其表面具有大部分的氮化钛的层；以及

(f)对上述氮化钛层制作图形以便在预定的图形中提供局部互连。

2、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，在上述的硅化步骤（e）之后进一步包括附加的步骤：

（g）对上述硅化钛区进行退火以便降低其电阻率。

3、据权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，上述加热步骤（e）是在500℃至750℃的温度范围之内执行的，接在上述步骤（e）之后的退火步骤（g）是在700℃至875℃的一个较高的温度范围之内执行的。

4、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所涂敷的上述钛金属的厚度是一个低于2000埃的厚度。

5、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，上述加热步骤（e）是在500℃至750℃的温度范围之内执行。

6、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一无机的硬掩模来对上述氮化钛制作图形。

7、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一注入硬化的光致抗蚀剂层对上述氮化钛制作图形。

8、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，通过采用一制图形的注入剂对上述氮化钛制作图形以便将不同的抵抗力赋于后继的蚀刻步骤。

9、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，通过采用一制图形的氧气注入剂对上述氮化钛制作图形以便将将不同低抗力赋于后继的蚀刻步骤。

10、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，对上述氮化钛的制作图形的步骤是采用一基本上是各向同性的蚀刻剂来加以执行的。

11、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，对上述氮化钛制作形的步骤是先采用一各向异性的蚀刻剂，其后采用一基本上是各向同性的蚀刻剂来加以执行的。

12、据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，在步骤（c）中：

上述衬底包括含有p+源极/漏极区的PMOS壕区和含有n+源极/漏极区的NMOS壕区这两个壕区，

在步骤（f）中：

对上述氮化钛层制作图形以便提供从上述p+源极/漏极区的预定区域到上述n+源极/漏极区的预定区域的预定的连接。

13、据权利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步骤（c）中：

上述绝缘栅场效应晶体管包括多晶体的、含有大部分硅的绝缘栅区域，

在步骤（f）中：

对在上述氮化钛层制作图形以便提供从上述栅极区的预定区域到上述源极/漏极区的预定区域的连接。

14、据权利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步骤（c）中：

上述绝缘栅场效应晶体管包括多晶体的、含有大部分硅的绝缘栅区域，

在步骤（f）中：

对上述氮化钛层制作图形以便提供从上述栅极区的预定区域到上述p+源极/漏极区的预定区域的连接，也提供从上述栅极区域的预定区域到上述n+源极/漏极区的预定区域的连接。

15、据权利要求1中所述的加工方法，其特征在于，在步骤（c）中：

上述绝缘栅场效应晶体管包括多晶体的、含有大部分硅的绝缘栅区域，

在步骤（f）中：

对上述氮化钛层制作图形以便提供从上述栅极区的预定区域到上述源极/漏极区的预定区域的连接。

16、据权利要求1中所述的加工方法，其特征在于，上述加热步骤（e）是在550℃到700℃的温度范围内执行的。