[实用新型]一种光电芯片导电层结构

摘要

本实用新型公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种光电芯片导电层结构，包括芯片本体，所述芯片本体的下侧设置有封装反射层，所述芯片本体的上侧设置有石墨烯层；所述芯片本体包括外延层、n型电极区、限制层和p型电极区，所述n型电极区位于外延层与限制层之间，所述限制层位于n型电极区与p型电极区之间，本装置基于垂直UVC光电子芯片的基础，应用在垂直UVC光电子芯片上可以极大的提升电流扩展及UVC光的分布和透射，通过垂直芯片结构使得芯片电流可以上下导通，减小电流的堵塞和增大扩展面积，通过加入石墨烯层，可以提升电极的导电和电流扩展均匀性。