[实用新型]一种碳化硅液相生长用坩埚及碳化硅液相生长装置有效
申请号: | 202320794697.9 | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN219239832U | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 林育仪 | 申请(专利权)人: | 通威微电子有限公司 |
主分类号: | C30B9/04 | 分类号: | C30B9/04;C30B28/04;C30B29/36 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 曹灿 |
地址: | 610299 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碳化硅液相生长用坩埚及碳化硅液相生长装置,涉及晶体生长设备领域。该碳化硅液相生长用坩埚包括石墨坩埚及反射隔热层,石墨坩埚设置有生长腔室,生长腔室用于容置原料液,反射隔热层设置于生长腔室的腔壁上,用于将原料液的液面辐射出的热量反射回液面。本实用新型提供的碳化硅液相生长用坩埚能够维持液面温度,提升晶体生长效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 相生 坩埚 装置 | ||
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