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[发明专利]一种金刚石表面改性的方法-CN202111471152.6有效
发明人：李红伟;谢月扬;张利琪;钱宗豪;王慧娜 -专利权人：长安大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：一种金刚石表面改性的方法，包括以下步骤：将强碳化物形成元素的金属、氯化锂、氯化钠、氯化钾与氟化物混合后球磨；将球磨后的混合物于中性或者还原性气氛下进行熔融处理，得到反应物，将反应物研磨，过筛，得到熔融产物粉料；将金刚石加入到熔融产物粉料中，球磨后，在中性或者还原性下对金刚石颗粒进行表面改性处理，得到具有纳米晶薄膜改性层的金刚石颗粒。本发明实现低温下在金刚石表面镀覆纳米碳化物涂层，可避免高温过程对金刚石表面的损伤，可有效改善金刚石与金属、陶瓷等基体间的润湿性，减少界面缺陷并提高金刚石与基体间的结合力，充分发挥金刚石不同工业领域的使用性能。
一种金刚石表面改性方法

[发明专利]一种模具嵌入法高通量生长全无机卤化钙钛矿光纤晶体的生长装置及生长方法-CN202210379058.6在审
发明人：刘阳;陶绪堂;李翠翠;蒋金科 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种模具嵌入法高通量生长全无机卤化钙钛矿光纤晶体的生长装置及生长方法，属于无机晶体生长技术领域，毛细模具置于生长坩埚中，通过选择不同形状的模具浸没在熔体中，原料全部熔化成为熔体进入模具，随后熔体在模具中进行晶体生长，包括如下步骤：设置温控程序，原料熔化，模具嵌入熔体，熔体进入模具，熔体在模具中生长，即可达到高通量生长晶体的目的。本发明的方法可以有效地解决光纤钙钛矿晶体的直接生长和高通量生长问题，具有制备效率高，生长周期短，简化晶体加工过程等优点。
一种模具嵌入通量生长无机卤化钙钛矿光纤晶体装置方法

[发明专利]一种氧化锌晶须加热炉及其控制方法-CN202211549443.7在审
发明人：何秀琼;何清泉;红艳;王鹏吉;刘阳 -专利权人：成都天佑晶创科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌晶须加热炉及其控制方法，氧化锌晶须加热炉包括炉体、晶须收集槽及与炉盖连接的升降机构；炉盖上转动连接有锌丝缠绕机构；晶须收集槽的连接杆顶端设置有卡槽，中部开设有环形槽；锌丝缠绕机构上连接有碳化硅连接杆，碳化硅连接杆与卡槽配合；支撑框架上固定连接有旋转台，旋转台上固定有向炉体方向延伸的第一电动伸缩机构，第一电动伸缩机构上固定连接有第二电动伸缩机构，第二电动伸缩机构连接有与环形槽配合的卡爪；控制器与升降机构、旋转台、第一电动伸缩机构和第二电动伸缩机构连接。本方案可以实现晶须收集槽全自动取出和安装，无需高温时人工借助工具或者等待晶须收集槽冷却后取出，保证了氧化锌晶须生产的安全性。
一种氧化锌加热炉及其控制方法

[发明专利]一种稀土钕硼酸盐近红外发光晶体材料及其制备方法-CN202210351141.2有效
发明人：武汉清 -专利权人：贵州师范学院
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土钕硼酸盐近红外发光晶体材料及其制备方法，所述稀土钕硼酸盐近红外发光晶体材料为稀土金属硼酸盐化合物Nd(B6O13H5)·2H2O，其结晶于三斜晶系，P‑1空间群。制备方法包括以下步骤：将硼酸、六水合硝酸钕、氯化铷和去离子水加入聚四氟乙烯内衬中混合均匀后，在260℃条件下反应三天后获得稀土钕硼酸盐近红外发光晶体材料Nd(B6O13H5)·2H2O。本发明的化合物由中温水热合成出来的，合成步骤简易，获得的晶体质量较高，在空气中不潮解，不溶于水，可以由单晶衍射测试获得具体的结构，合成过程能耗较低，所采用原料易得且价格便宜。获得的稀土硼酸盐化合物具有Nd的近红外发光性能。
一种稀土硼酸盐红外发光晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种稀土镨硼酸盐晶体材料及其制备方法-CN202210350407.1有效
发明人：武汉清 -专利权人：贵州师范学院
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土镨硼酸盐晶体材料及其制备方法，所述稀土金属硼酸盐晶体材料为Pr[B5O8(OH)]NO3·2H2O晶体，属于P21/c空间群。制备方法包括以下步骤：将硼酸、六水合硝酸镨、氧化铝和去离子水加入聚四氟乙烯内衬中混合均匀后，在260℃、自生压力条件下反应一天，随后降温至240℃继续反应天4天，获得稀土镨硼酸盐Pr[B5O8(OH)]NO3·2H2O晶体材料。本发明中的化合物是由中温水热合成出来的，合成步骤简易，获得的晶体质量较高，在空气中不潮解，不溶于水，可以由单晶衍射测试获得具体的结构，合成过程能耗较低，所采用原料易得且价格便宜。获得的稀土硼酸盐化合物具有Pr的特征发光性能。
一种稀土硼酸盐晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种超声波搅拌的氮化镓液相生长装置-CN202210497783.3在审
发明人：谈逊;刘才;谈谦;吴曦;曾龙辉;李欣;王占玲;刘宁波 -专利权人：华厦半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波搅拌的氮化镓液相生长装置，包括壳体，所述外壳体内部设置有容纳腔，所述外壳体顶端螺栓固定连接有用于将容纳腔进行封堵的盖体，所述容纳腔内部固定连接有反应壳体；所述反应壳体内底壁设置有加热件，所述反应壳体上固定连接有多个超声波振子；所述容纳腔内部固定连接有固定块，所述固定块上固定连接有用于对反应壳体进行进料的进料机构；所述外壳体上设置有用于对容纳腔进行冲入氮气的充气组件。本发明通过在反应壳体底端固定连接有多个超声波振子能够实现反应壳体内部产生超声振动，以实现其内部的物料能够实现更加充分的进行混合，相对于现有技术中的机械搅拌结构，能够大大的减小搅拌装置的结构，使得设备的结构更加的简单。
一种超声波搅拌氮化相生装置

[发明专利]一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法-CN202210595917.5在审
发明人：周玉兰;陈伟;陈秋华;陈养国;张杨 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法，采用缩口铂金坩埚为生长装置，下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构，缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8，锥状倾斜角度为10~30°，在晶体生长时，熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位，铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动，不仅保证生长熔体的均匀性，还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场，抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能，生长出来的晶体几乎接近长方体，提高了KGW晶体毛坯的利用率；铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况，还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力，避免外因影响晶体质量，再次提高KGW晶体利用率。
一种提高 kgw 晶体质量利用率制备方法

[实用新型]一种拉链卡包的内层包边模-CN202220703053.X有效
发明人：竺伟红 -专利权人：宁海县一心金属电器有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种拉链卡包的内层包边模，包括底板、横向设于底板上方的压板、固定在底板顶部的模座、以及四个设于底板与压板之间并两两对称的分别设于模座四个转角处的执行组件，执行组件包括固定在压板底部的挤压柱、固定在底板顶部的导向块、横向穿插设置在导向块中的导向杆、两个固定在底板顶部并相互对称平行设置的侧块、以及活动连接在两个侧块之间的挤压块；本实用新型能一次性对卡包内层的四个转角处同时进行加工，无需一个个依次进行，进而无需在加工前后对包边模的挤压点进行转换，既省时又省力，从而显著提高了加工效率。
一种拉链内层包边模

[实用新型]一种晶体生长装置-CN202123449473.4有效
发明人：王文;王威;祝志刚 -专利权人：光奥科技（武汉）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体生长装置，涉及晶体生产技术领域，包括生长舱体和舱门，生长舱体内部底面设有升降气缸，升降气缸活动端设有反应装置，生长舱体内部设有加热装置，加热装置包括加热铜管和固定垫圈，生长舱体内壁设有一对固定垫圈，相邻固定垫圈之间设有调节磁杆，调节磁杆表面开设有调节螺槽，加热铜管通过调节螺槽缠绕于调节磁杆表面，生长舱体顶面嵌入设有温度计和压力表，加热铜管通过调节螺槽调节在调节磁杆表面热缠绕匝数和间距，进行不同竖直方向的温度梯度的控制，便于温度的调节，温度计和压力表插入生长舱体内部进行温度和压力的实时监控测量，对生长舱体内部温度和压力环境进行调节控制，便于晶体生长反应的进行。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长方法及装置-CN202010562410.0有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长方法和装置。该晶体生长方法和装置能够抑制晶体生长过程中生长腔体的氧化挥发。在对装有生长晶体的原料的生长腔体进行初步抽真空处理后，在加热生长腔体过程中，对生长腔体进行二次抽真空处理，然后向生长腔体通入保护气体以及对生长腔体进行换气处理，能有效地减少生长腔体内的氧气，进而抑制晶体生长过程中的生长腔体氧化挥发的问题，从而提高晶体质量。
一种晶体生长方法装置

[实用新型]用于砷化镓晶体生长的恒压辅助系统-CN202022800978.X有效
发明人：涂洁磊;肖祥江;刘祖明;余首柘;胡凯;李雷;吴佳豪 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于砷化镓晶体生长的恒压辅助系统，属于晶体生长装置技术领域，包括恒压装置，其上设有箱门；空气压缩机；进气管道，其将所述空气压缩机与恒压装置连通；出气管道，其与所述恒压装置连接；第一压力表，其与所述恒压装置连接，用于监测恒压装置内的压强；所述进气管道及出气管道上均设有截止阀。本实用新型示例的恒压辅助系统，该系统可以对砷化镓晶体生长环境的压强进行精确的控制，能够有效的放置胀管、缩管的现象，提高了砷化镓单晶率，降低了生产成本，同时结构简单，安全环保。
用于砷化镓晶体生长辅助系统

[发明专利]一种利用模板法制备单晶黑磷纳米线的方法-CN202010021620.9有效
发明人：王琳;蒋小红 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用模板法制备单晶黑磷纳米线的方法，利用阳极氧化的方法制备阳极氧化铝模板AAO，浸泡于氯化铜溶液中去基底，再与红磷混合进行反应，使得腔内的红磷转化为熔融的白磷，再使得熔融的白磷注入到AAO孔洞内，使得AAO孔洞内的白磷转化为黑磷，最后用NaOH溶液溶解AAO模板继而得到黑磷纳米线。通过控制AAO模板的孔洞直径来控制黑磷纳米线的尺寸，合成不同尺寸的具有均一性好，结晶质高，稳定性好的黑磷纳米线，采用的高温高压技术具有耗时短，可控性好、重复性高、产量高、清洁环保和成本低等优点。不仅为探索黑磷材料的新特性开辟了一个新维度，而且为快速高效的大规模制造提供了一维结构工程策略。
一种利用模板法制备单晶黑磷纳米方法

[发明专利]一种削尖单晶高电压尖晶石镍锰酸锂正极材料的制备方法-CN201910642708.X有效
发明人：廖达前;曾文赛;胡柳泉;吴涛;周友元 -专利权人：湖南长远锂科股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种削尖单晶高电压尖晶石镍锰酸锂正极材料的制备方法：(1)将锂源、镍源、锰源、掺杂物质、助熔剂和有机酸混合均匀；(2)将加热炉升温至80℃～300℃并保温，然后将步骤(1)获得的混合物料放入加热炉内使其在该温度下保温0.5～30h，形成低温共熔物；(3)将步骤(2)获得的低温共熔物置于放入预设温度300℃～700℃的加热炉中加热点燃，然后进行烧结，随炉自然冷却，得到削尖单晶高电压尖晶石镍锰酸锂正极材料。本发明的工艺简单、效率高、设备要求低，既能达到液相燃烧法的原料混合水平，又避免了液相燃烧法点燃过程的原料飞溅，且易实现大规模的生产。
一种削尖单晶高电压尖晶石镍锰酸锂正极材料制备方法

[发明专利]八钛酸钾晶须的制备方法-CN201510213316.3有效
发明人：李冰;王强;郭卿君 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：一种制备八钛酸钾晶须的方法，以KCl作为反应介质，包括步骤(1)配制原料将作为反应物的钛源和钾源、及所述反应介质均匀分散于低级醇溶剂，然后充分干燥；(2)煅烧处理对步骤(1)得到的干燥后物料进行煅烧处理；(3)去除反应介质用水对步骤(2)得到的煅烧后物料进行洗涤，直至无Cl‑离子洗出；及(4)干燥烘干步骤(3)中洗涤得到的固相产物，得到纯净的八钛酸钾晶须。整个生产过程绿色无污染性。八钛酸钾晶须纯度高、结晶度好、大小均匀、分散性良好。
八钛酸钾晶须制备方法

[发明专利]一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计-CN201610145164.2在审
发明人：李刚;司晓晖 -专利权人：李刚;司晓晖
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，包括以下步骤1)绘制坩埚内壁立体图，2)计算坩埚理论容积，3)对单晶材料进行物性分析，4)确定需要装填的单晶原料重量，5)坩埚内部空间的立体拆分方式确认，6)测试单晶原料粉体成型参数与建立数据库，7)成型工艺方案确认与工艺计算，8)选择模具类型，9)选择成型设备，10)编制成型工艺卡。本发明公开的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，设计过程合理科学，过程简单可控，单晶原料的成型生产容易实现；同时单晶组合原料依据实际坩埚尺寸进行设计，使用方便，无间隙，装填密度大，实现了单晶原料的有序装填，促进单晶生长的标准化操作，提高了设备使用率；具备显著的社会效益和经济效益。
一种装填密度组合原料成型工艺设计

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