[发明专利]一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构有效
申请号: | 202310991386.6 | 申请日: | 2023-08-08 |
公开(公告)号: | CN116705817B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 王国建;付义德 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214024 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构,属于传感器封装技术领域,该高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构通过在顶板上开设若干上窄下宽的通孔,从而能够使流体状胶水缓慢充分的将每个引线包裹并且充满整个电性连接区域,使得引线不外露,全部在胶水包裹中,从而避免引线了折断、脱落的情况;通过固定结构设置的透光结构件,透光结构件具有侧墙,从而能够较为快速方便的保护以及暴露图像传感器的感光区域,使得图像传感器的封装效率大大提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 可靠 图像传感器 封装 工艺 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的