[发明专利]一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构有效
申请号: | 202310991386.6 | 申请日: | 2023-08-08 |
公开(公告)号: | CN116705817B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 王国建;付义德 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214024 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠 图像传感器 封装 工艺 结构 | ||
本发明公开了一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构,属于传感器封装技术领域,该高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构通过在顶板上开设若干上窄下宽的通孔,从而能够使流体状胶水缓慢充分的将每个引线包裹并且充满整个电性连接区域,使得引线不外露,全部在胶水包裹中,从而避免引线了折断、脱落的情况;通过固定结构设置的透光结构件,透光结构件具有侧墙,从而能够较为快速方便的保护以及暴露图像传感器的感光区域,使得图像传感器的封装效率大大提升。
技术领域
本发明涉及图像传感器的封装,尤其涉及一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构。
背景技术
图像传感器又称为感光元件,是一种将光学图像转换成电子信号的设备,它被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中,是组成数字摄像头的重要组成部分。近几年,汽车电子和自动驾驶的发展,车用图像传感器的需求越来越多,图像传感器的可靠性能为考察的重中之重。
中国专利申请号为:202211342909.6、名称为:一种图像传感器的封装结构和方法,其公开了如下封装方法:首先在传感器晶圆上使用晶圆级工艺制备挡墙,再将传感器晶圆切割成芯片,再将芯片黏贴到基板上并完成金属线连接后,在挡墙外围涂布高于挡墙的粘接剂,利用透光板与施加在其上面的压力使高于挡墙高度的粘接剂流延到挡墙上表面与透光板之间,实现透光板与挡墙的粘结与密封。挡墙具有一定的硬度和强度,为盖透光板提供刚性支撑,使产品的玻璃倾斜度控制更好,提高传感器的成像质量。所述挡墙采用晶圆级工艺制备而成,形式多样,加工精度高,提升了支撑体的最小宽度和高度加工尺寸以及均匀性水平,能够降低空腔的高度,减小产品空腔内体积,提高可靠性特性。
上述封装方法解决了传统针筒点胶作业,透光板粘合胶作为支撑体,因点胶工艺的不精确性,所形成的胶体高度偏差太大,加上粘合胶在固化前材质柔软,在盖透光板工艺中透光板的倾斜不易控制的问题;也解决透光板粘合胶在点胶工艺中,受到点胶工艺精度的限制,胶体宽度,高度较大,容易出现粘合胶溢到芯片感光区的现象,为避免粘合胶对感光芯片的污染,在芯片设计的时候需要预留一定宽度作为点胶区域,导致图形传感器体积较大,晶片浪费的问题。
但是,上述专利提供的封装方法和封装结构并不能有效的提高图像传感器的可靠性,主要在于引线部分的包封时,无法将引线全部包封住,一旦某些引线没有被包封住,某些车况下,引线会发生折断、脱落的情况。
并且上述专利采用晶圆减薄技术将晶圆感光区域及集成电路结构的衬底面研磨去除一定厚度,再在传感器晶圆的每一个感光区域周围做出围绕所述感光区域的挡墙,这样制造挡墙的方法造价极高且工艺复杂,使得封装效率大大降低,从而增加图像传感器的使用成本。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明提供一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构,以克服现有技术中的图像传感器封装方法还是存在引线发生折断、脱落的问题,也克服现有技术中的图像传感器封装方法制作挡墙造价极高且工艺复杂导致图像传感器封装成本增加的问题,从而既使得图像传感器的封装更加可靠稳定,又不增加图像传感器的封装成本,还大大提高了图像传感器的封装效率。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种高可靠型图像传感器的封装工艺,其中,包括:
提供基板,所述基板包括底板、固定设置在基板底板四周的侧板;
将图像传感器贴附于基板的底板上;
将所述图像传感器与所述基板电性连接;
提供顶板,所述顶板中间具有开口,所述顶板朝向开口的位置具有竖直的支撑板,四周的所述支撑板形成所述开口,所述顶板的板面开设有若干上窄下宽的通孔,将所述顶板覆盖在所述基板的四周侧板上;
将具有玻璃盖板和侧墙的透光结构件通过顶板中间的开口放置到所述图像传感器上,所述玻璃盖板位于所述图像传感器的感光区域上方,所述透光结构件的侧墙与所述支撑板之间具有缝隙;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的