[发明专利]集成SBD的碳化硅SGT-MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202310986654.5 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116721925A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓;任真伟 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 黄文静 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET及其制备方法，集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET包括：碳化硅衬底、N‑型漂移区、设置于所述N‑型漂移区内的第一沟槽和第二沟槽、第一P+型掺杂区、第二P+型掺杂区、P阱区、N+型掺杂区、第一欧姆接触区、肖特基接触区、屏蔽栅、控制栅以及碳化硅衬底的另一个表面上设置第二欧姆接触区等。本发明通过两个P+型掺杂区有效提升反向击穿电压，降低反向漏电，所述第二沟槽上方沉积有金属层，形成内嵌SBD，内嵌SBD可以优化传统MOSFET的体二极管抗浪涌能力低的问题，而且反向续流能力也可以得到加强。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 sbd 碳化硅 sgt mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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