[发明专利]碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310983474.1 | 申请日： | 2023-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN116779449A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/51 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 王正楠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，其中，碳化硅器件的制备方法在碳化硅器件的制备过程中在栅极氧化层与沟槽之间制备了一层P+保护层，同时将栅极氧化层的材质更换。本发明通过在碳化硅器件沟槽处设置一层P型杂质形成的P+保护层用于保护栅极介质的拐角处，同时将栅极氧化层的材质更换为Al |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
