[发明专利]一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管在审
| 申请号： | 202310968033.4 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682916A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层、盖帽层以及量子垒层；其中，所述量子阱层为AlScN层、盖帽层为AlSiN层、量子垒层为AlN层。本发明解决了现有技术中的LED的光提取效率低以及多量子阱中电子空穴辐射复合效率低而导致LED发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多量 子阱层 及其 制备 方法 外延 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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